4英寸半绝缘型衬底

技术成枛�/p>

零微管密度控制技�?/p>

单一晶型控制技�?/p>

包裹物控制技�?/p>

电阻率控制技�?/p>

杂质调控技�?/p>

衬底台阶宽度控制技�?/p>

直径		99.5 mm-100.0 mm
晶型		4H
厚度		500 μm±15 μm
晶片方向		无偏转角度：�?lt;0001>偏转 ± 0.5°
微管密度		� 1 cm-2
电阻玆�/td>		� 1 E10 Ω·cm
主定位边方向		{10-10} ±5.0°
主定位边长度		32.5 mm ± 2.0 mm
次定位边长度		18.0 mm ± 2.0 mm
次定位边方向		硅面朝上：从主定位边顺时针旋� 90° ± 5.0°
边缘去除		3 mm
局部厚度变�?总厚度变�?弯曲�?翘曲�?/td>		�?.5 μm/�? μm/�?5 μm/�?0 μm
表面粗糙�?/td>		抛光 Ra� 1 nm
		CMP Ra� 0.2 nm
边缘裂纹（强光灯观测（�/td>		—–�/em>
六方空洞（强光灯观测（�/td>		累计面积 � 0.05%
多型（强光灯观测（�/td>		—–�/em>
目测包裹物（日光灯观测）		累计面积 � 0.05%
硅面划痕（强光灯观测（�/td>		—–�/em>
崩边（强光灯观测（�/td>		不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm
硅面污染物（强光灯观测）		—–�/em>
包装		多片卡塞/单片盒包裄�/td>

半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过异质外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户�?英寸产品的需求，公司为国内外客户批量提供具有高性价比的4英寸半绝缘型衬底产品、�/p>

下游产品与应�?/p>

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，通过晶圆制造、封装检测，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等、�/p>