产品概述

导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料、�/p>

8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品�?英寸产品质量�?英寸相当，未来公司将根据客户实际需求，同步扩大8英寸衬底生产规模，并有效降低生产成本，推�?英寸衬底不断向前发展、�/p>

下游产品与应�?/p>

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域、�/p>

直径		199.5 mm -200.0 mm
晶型		4H
厚度		500 μm±25 μm
晶片方向		�?lt;11-20>偏转4.0°±0.5°
微管密度		� 0.2 cm-2
电阻玆�/td>		0.015-0.025 Ω.cm
Notch晶向		{10-10} ±5.0°
边缘去除		3 mm
局部厚度变�?总厚度变�?弯曲�?翘曲�?/td>		�? μm/�?0 μm/±35 μm/70 μm
表面粗糙�?/td>		抛光 Ra � 1 nm
		CMP Ra � 0.2 nm
边缘裂纹（强光灯观测（�/td>		—–�/td>
六方空洞（强光灯观测（�/td>		累计面积 � 0.05%
多型（强光灯观测（�/td>		—–�/td>
目测包裹物（日光灯观测）		累计面积� 0.05%
硅面划痕（强光灯观测（�/td>		—–�/td>
崩边（强光灯观测（�/td>		不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm
穿透螺位错（TSD（�/td>		� 300 cm-2
硅面污染物（强光灯观测）		—–�/td>
包装		多片卡塞/单片盒包裄�/td>