本设备主要用来研究电介质材料的自漏电性、�br/>由于测试条件非常接近实际情况，因此通过这种方式可容易地测试应用于DRAM材料的合适性、�/p>

技术说明：

电压脉冲发生器：

• **电压放大: +/- 10 V：�/p>

• *小脉冲长度：50 ns：�/p>

• **脉冲长度�?40 μs、�/p>

开关性能�

• 激励弛豫时�?lt;2ns：�/p>

• Ron< 50 Ω；

• Roff >1013 Ω、�/p>

高阻抗电流计９�/p>

• 输入阻抗�?013 Ω；

• 输入电容�?0 fF、�/p>