产品型号

GSL-450-PLD（Pulsed Laser Deposition（�/span>

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下，温�?5�?#177;15℃，湿度55%Rh��10%Rh下使用、�/span>

1、水：设备配有自循环冷却水机，水温小�?5℃，水压0.25-0.4Mpa，流量高�?2 l/min＇�/span>加注纯净水或者去离子水）：�/span>

2、电：AC380V 50Hz＋�/span>功率大于10KW，波动范围：小于��6＄�/span>＋�/span>必须有良好接�?/span>（对地电阻小�?��）；

3、气：设备腔室内需充注�?氩气（纯�?9.99%以上），需自备�?氩气气瓶（自�?10mm双卡套接头）及减压阀

4�?/span>场地面积９�/span>设备尺寸2000mm��2000mm，承里�/span>1000kg以上

5、通风装置：需�?/span>（外排废气管道）：�/span>

主要特点

1�?/span>由于激光光子能量很高，可溅射制备很多困难的镀层：如高温超导薄膜，陶瓷氧化�?/span>、氮化物薄膜，多层金属薄膜等：�/span>

2、体积小，操作简便可以非常容易的连续融化多个材料，实现多层膜制备：�/span>

3、可以通过控制激光能量和脉冲数，精密的控制膜厙�/span>：�/span>

4、易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性；

5�?/span>沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀：�/span>

6、工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制：�/span>

技术参�?/span>

1、极限真空度：≤6.67x10^-5Pa (经烘烤除气后)：�/span>

2、系统真空检漏漏率：�?.0x10^-7Pa.l/S：�/span>

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，20分钟可达�?x10^-3Pa：�/span>

基片参数

1�?/span>基片尺寸：可放置��2″基牆�/span>（带挡板（�/span>：�/span>

2、基片加�?*温度 800�?#177;1℃，由热电偶闭环反馈控制，采用抗氧化材料作加热器：�/span>

3、基片可连续回转，转�?�?0�?分，电机驱动磁耦合机构控制：�/span>

4、基片与靶台之间距离30�?0mm可调：�/span>

转靶参数

1�?/span>每次可以装四块靶材，靶材尺寸�?#966;1′�/span>戕�/span>��2″；

2、每块靶材可实现自转，转逞�/span>5�?0�?/span>/分，连续可调：�/span>

3�?/span>靶通过电机控制换位＋�/span>靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽，每次只有一个靶材露出溅射成膜，以避免靶材之间的交叉污染：�/span>

真空腔体

1�?/span>球型真空室尺�?#1060;450mm，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；

2�?/span>真空腔体�?/span>RF150活开�?/span>，方便取、放样品：�/span>

3�?/span>RF100法兰2奖�/span>＇�/span>1套紫夕�/span>石英玻璃窗口用于激光器，另1套盲板红夕�/span>石英玻璃窗口用于测温可选配）；

4�?/span>RF100光学玻璃窗口1奖�/span>（用于观察）：�/span>

产品规格

整机尺寸９�/span>1800mm��1000mm��1600mm：�/span>

标准配件

1

电源控制系统

1奖�/span>

2

真空获得机组

1奖�/span>

3

真空测量

1奖�/span>