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产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优炸/span>+span>还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特炸/span>、/span>
产品型号 |
GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀 |
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安装条件 |
本设备要求在海拔1000m以下,温?5?#177;15℃,湿度55%Rh10%Rh下使用、/span> 1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小?5℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高?2 l/min'/span>加注纯净水或者去离子水):/span> 2、电:AC380V 50Hz+/span>功率大于10KW,波动范围:小于6$/span>+/span>必须有良好接?/span>(对地电阻小?); 3、气:设备腔室内需充注?氩气(纯?9.99%以上),需自备?氩气气瓶(自?10mm双卡套接头)及减压阀 4?/span>场地面积9/span>设备尺寸2000mm2000mm,承里/span>1000kg以上 5、通风装置:需?/span>(外排废气管道):/span> |
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主要特点 |
1?/span>由于电子束定位准?/span>能量很高+/span>可蒸发难熔金属或化合物,蒸发速率快; 2、体积小,操作简便可以非常容易的放置材料和清理; 3?/span>蒸发材料放置在水冷铜坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜; 4、由于蒸发物面积小,因而热辐射损失小,热效率高:/span> |
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技术参?/span> |
1、极限真空度:≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后):/span> 2、系统真空检漏漏率:?.0x10-7Pa.l/S:/span> 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达?/span>6.6x10-4Pa:/span> |
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基片参数 |
1?/span>基片尺寸:可放置4″基牆/span>(带手动挡板(/span>:/span> 2、基片加?*温度 800?#177;1℃,由热电偶闭环反馈控制:/span> 3、基片可连续回转,转??0?分; 4、基片与蒸发溏/span>之间距离300}/span>350mm可调:/span> |
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电子束蒸发源参数 |
1、E型电子枪,阳极电?KV?KV:/span> 2?/span>电子枪坩埚:水冷铜坩埚,四穴设计,每个熔炻/span>11ml:/span> 3?/span>电子束功玆/span>0-6KW可调:/span> |
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真空腔体 |
1?/span>U型真空室尺寸500X600mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封; 2?/span>真空腔体剌/span>开?/span>铰链结构,方便取、放样品:/span> 3?/span>前开门设有两个观察窗接口,可以观察电子枪和基片; 4?/span>设备预留膜厚仪接口,可选配膜厚?/span>:/span> 5?/span>高真空分子泵机组,闸板阀隔断(也可使用高真空挡板阀); |
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产品规格 |
整机尺寸9/span>1800mm1200mm2000mm:/span> |
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标准配件 |
1 |
电源控制系统 |
1奖/span> |
2 |
真空获得机组 |
1奖/span> |
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3 |
真空测量 |
1奖/span> |
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4 |
电子?/span> |
1奖/span> |