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特斯拉大砍SiC,GaN替补上位?
www.188betkr.com 讯 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,一度被视为新能源汽车领域的理想材料。特斯拉,曾打响SiC上车的第一枪。2011年,科锐(现Wolfspeed)公司推出全球首款SiC MOSFET。5年后,特斯拉发布第四款车型Model 3,该车型的主逆变器安装了24个意法半导体(ST)公司生产的SiC MOSFET功率模块。搭载24个SiC MOSFET功率模块的Model 3主逆变器(来源:NE时代)此后,SiC不仅成为半导体厂商激烈涌进的热门赛道,也在全球新能源车市场加速上车。不过转过头来,特斯拉在今年的投资者日活动上表示,为进一步降低车辆成本,计划在下一代电动汽车动力系统..【详细】
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