www.188betkr.com 讯 随着大功率和超大规模集成电路的发展，集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此，基片必须要具有高的导热率和电阻率。为满足这一要求，国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料，其中主要包括：Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC，但是氮化铝是综合性能最优良的新型先进陶瓷材料，被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。同时，氮化铝粉体也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料，如环氧树脂中加入氮化铝粉体可以明显提高其热导率，据www.188betkr.com 编辑了解，目前氮化铝的应用需求正在不断飙升，因而受到国内外研究者的普遍关注。（图片来源：厦门钜瓷科技）一、氮化铝陶瓷的优异性能目前，氮..【详细】