特点９�/strong>

Crystalaser皮秒激光器，脉宼�80ps，峰值功率高�?W。波�?75nm-1650nm。重频从单脉�?100MHz、�/p>

应用９�/strong>

荧光寿命测试、光子探测器、光电时间响应表征、紧凑紫蓝色激光器、光时域反射 (OTDR)、激光种子源、时域分辨荧光、荧光寿命成像（FLIM）、磷光寿命成像（PLIM）、荧光相关光谱学（FCS）、光学层析、荧光寿命相关光谱（FLCS）、受激发射损耗显微镜（STED）、双焦荧光相关光谱学�?fFCS）、脉冲交错激励（PIE）、荧光各项异性、单线态氧、激光切�?消融、时间分辨光致发光成僎�/p>

Compact Picosecond Diode Lasers

SPECIFICATIONSWavelength Product Description and Specifications (+/-5 nm) Pulse width Peak power 25MHz average 50MHz average Beam divergence ps mW power mW power mW mrad 375 nm <80 ps 300 mW 0.25 0.50 1.0 405 nm <80 ps 1200 mW 1.00 2.00 1.0 445 nm <80 ps 400 mW 0.40 0.80 1.0 462 nm <80 ps 1000 mW 0.85 1.60 3.0 473 nm <80 ps 400 mW 0.35 0.70 1.0 488 nm <80 ps 500 mW 0.45 0.80 1.1 515 nm <80 ps 400 mW 0.35 0.70 1.1 532 nm <80 ps 150 mW 0.15 0.30 1.1 561 nm <80 ps 150 mW 0.15 0.30 1.1 593 nm <80 ps 100 mW 0.10 0.20 1.1 633 nm <80 ps 300 mW 0.25 0.50 1.2 660 nm <80 ps 400 mW 0.35 0.70 1.2 685 nm <80 ps 300 mW 0.25 0.50 1.2 725 nm <80 ps 300 mW 0.25 0.50 1.2 785 nm <80 ps 800 mW 0.70 1.40 1.2 808 nm <80 ps 900 mW 0.75 1.50 1.2 830 nm <80 ps 900 mW 0.75 1.50 1.3 860 nm <80 ps 900 mW 0.75 1.50 1.3 910 nm <80 ps 300 mW 0.25 0.50 1.3 947 nm <80 ps 400 mW 0.30 0.60 1.3 980 nm <80 ps 400 mW 0.30 0.60 1.4 1030 nm <80 ps 500 mW 0.45 0.90 1.4 1064 nm <80 ps 500 mW 0.45 0.90 1.4 1080 nm <80 ps 500 mW 0.45 0.90 1.5 1320 nm <80 ps 900 mW 0.75 1.50 1.5 1550 nm <80 ps 900 mW 0.75 1.50 1.5 Dimensions of laser head 12 x 3 x 3.6 cm (L，W，H) Dimensions of power supply AC: 5x14x15 cm (2x5x6 inch) DC: 3.5x8.5x12.7 cm Warm-up time <1 min Operation temperature 10 to 35 degree C Operation voltage 90-250 VAC 12 VDC input available Power consumption 10 W� typical