近年来，集成电路及高功率LED器件行业飞速发展。随着功率器件工作电压及电流的增加，芯片尺寸的不断减小，芯片的功率密度急剧增加，散热问题已成为封装器件快速发展的瓶颈。氮化铝（AlN）具有优良的高热导性，且绝缘性能佳，是新一代基片的理想材料，更是解决大功率的LED器件、LD、晶体管、集成电路和IGBT等封装器件散热瓶颈的优选材料、�/span>

我公司深入研究高散热AlN陶瓷基板材料制备、表面金属化、模组封装等技术，采用自主创新技术制备AlN膜片，专门适用于大功率LED器件集成封装的应用基板材料，且在材料散热性能、抗弯强度和封装后LED 器件的性能方面优势明显。该产品经检测及客户反馈，可以满足应用需求�?nbsp;

氮化铝陶瓷基板产品性能参数

氮化铝陶瓷基片常规尺�?nbsp;

氮化铝陶瓷圆片常规尺寷�/span>

注：其余尺寸可定制加工、�/span>