产品简>>THz近场扫描成像系统原理简今/span>
Eachwave推出的低温砷化镓光电寻span>太赫典/span>近场探针系列是新一代的高性能光电导型微探针，利用正span>太赫兹近圹/span>探针，样品表面的近场太赫兹电场可被以?*的分辨率测量，信号质量好，噪声低。这些太赫兹探针可以无缝的与激发波长低?60nm的THz-TDS系统配合使用。THz近场探针提供了一个低成本的解决方案，可将您的THz-TDS升级为高分辨率的太赫兹近场扫描成像系统、/span>
产品特点９/span>
市场?小的太赫兹近场探钇/p>
**设计
空间分辨率可?um
探测频率范围?-4THz
适用于所有基于激光的THz系统
安装可兼容标准的光机械组廹/p>
集成过载保护电路
横向圹span>太赫兹近场探钇/span>
横向圹span>太赫兹近场探钇/span>规格参数
| TeraSpike TD-800-X- | HR | HRS |
| *小空间分辨率 | 3um | 20um |
| PC gap size | 1.5um | 2um |
| 暗电 @1V 偏置电压 | <0.5nA | <0.5nA |
| 光电?/td> | >1uA | >0.6uA |
| 激发波镾/td> | 700..860mW | |
| 平均激发功玆/td> | 0.1-4mW | |
| 接头类型 | SMP | |
纵向圹span>太赫兹近场探钇/span>
纵向圹span>太赫兹近场探钇/span>规格参数
| TeraSpike TD-800- | A-500G | N |
| **空间分辨玆/td> | 8 um | 8 um |
| PC gap size | 5 um | 2 um |
| 暗电 @1V 偏置电压 | <0.4 nA | <0.4 nA |
| 光电?/td> | >0.5 uA | >0.1 uA |
| 激发波镾/td> | 700..860mW | |
| 平均激发功玆/td> | 0.1-4mW | |
| 接头类型 | SMP | |
反射弎span>太赫兹近场探钇/span>
反射式太赫兹近场探针是一款收发一体化的太赫兹近场探针产品。探针具有双天线结构，此结构极大的缩短了太赫兹的传输路径，可有效的应用于太赫兹近场时域谱测试以及成像测试系统中、/p>
时域谱测诔/span>
反射弎span>太赫兹近场探钇/span>结构
反射太赫兹近场探钇/span>测试样例
反射式太赫兹近场探针规格参数
| 型号 | 暗电流@1V偏压 | 光电?/td> | 激发波镾/td> | 平均激发功玆/td> | 链接夳/td> |
| TeraSpike TD-800-TR.5 | < 1.5nA | > 0.5uA | 700-860nm | 0.1-4mW | 2SMP |
适用?550nm波长的太赫兹近场探针
规格参数
| 型号 | 脉冲上升时间 | 带宽 | 激发波镾/td> | 激发功玆/td> | 悬臂材料 |
| TeraSpike TD-1550-Y-BF | <1ps | 0.01-2.5THz | 700-1600nm | 0.1-4mW | InGaAs(n-type) |
应用案例
THz 近场探针结构示意国/span>
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