硅APD探测模块SPDSi

上海屹持光电单光子计数模坖�/span>SPDSi是基亍�/span>Si-APD的灵敏光电探测器。探测波段覆盕�/span>200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB、�/span>SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大亍�/span>20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到较高状态。在700 nm波段的探测效率超迆�/span>60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns、�/span>

SPDSi标准型号的有效光敏探测面�?*可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便亍�/span>OEM应用和工业集成、�/span>

APD通过模块内部制冷工作�?/span>-20℃的低温环境下，以获得较好的信噪比。制冷模块由高效皃�/span>TEC控制。控制精度可�?#177;0.2℃、�/span>

技术特点：

高探测效率：65%@700 nm：�/span>500 um光敏面积：�/span>

TTL数字信号输出：�/span>低暗计数：�/span>

低后脉冲：�/span>低时间抖动；

应用领域９�/span>

荧光测量：�/span>激光测距；

量子通信：�/span>光谱测量：�/span>

光子关联：�/span>自适应光学：�/span>

Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器

Fig3. Si单光子探测器结构国�/p>

产品参数９�/strong>

参数规格参数	倻�/span>	单位
供电电压*1	22 -28	V
供电电流	0.5	A
光谱响应范围	200 ----1060	nm
探测效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm	2 65 45 3	%
暗计�?/span>	200 -2000	cps
死时闳�/span>	50	ns
后脉冱�/span>	3 - 8	%
时间抖动	300 - 500	ps
饱和计数玆�/span>*2	10	Mcps
光敏面积	500	um
APD制冷温度	-20	ℂ�/span>
工作温度	-15 - +50	ℂ�/span>
输出信号电平	LVTTL
输出信号脉宽	530	ns
门脉冲输入电干�/span> Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high	0-0.4 2 -3.3	V

产品说明９�/p>

1. 不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高�?8V，并可提供足够电流、�/p>

2. APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿、�/p>

3. 在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超�?0 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高、�/p>

4. SPDSi的默认死时间�?0ns。死时间设定会影响模块的**计数率，当死时间设定�?0ns时，**计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系、�/p>

5. 同样，输出信号的脉宽也会影响**计数率，典型脉宽�?0 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系、�/p>

6. SPDSi支持空间和光纤接口接入、�/p>

单光子探测器选型９�/p>

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