>>SESAM可饱和吸收镜选型指南
产品简今/strong>
被动锁模技术由于便于组装， 操作简单等优点 已被人们广泛的应用于各类激光腔中来产生超短脉冲串。Eachwave专业提供被动锁模器件BATOP半导体可饱和吸收镜SESAM９/span>可饱和吸收镜（SAM（/span>，可被安装在宽谱激光腔中进行模式锁定。通过可饱和吸收体的损耗机制，连续激光器中杂乱的多脉冲可以被调制成有规律的超短脉冲串、/span>
可饱和吸收体在强光下被漂白，可以使大部分腔内能量通过可饱和吸收体到达反射镜，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表现为吸收未饱和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把这部分弱光从激光腔中去除掉，表现了 Q 锁模的抑制作用。而且由于吸收掉了脉冲前沿部分，脉冲宽度在反射过程中会逐渐变窄、/span>
Eachwave推出的BATOP半导体可饱和吸收镜SESAM包含一个布拉格反射镜（Bragg-mirror）生长在基底上（如GaAs晶圆），然后可饱和吸收层做在布拉格反射镜上。尽管半导体可饱和吸收镜已经被广泛的用于各种激光腔中进行模式锁定，但是SAM的应用还是要根据具体情况被精确地设计，如不同的激光器具有不同损耗，增益谱，腔内功率等等，可饱和吸收体的参数都需要跟这些参数相匹配、/span>
BATOP 是激光被动锁模器?可饱和吸收体的专业供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，包括可饱和吸收镜(SESAM)＋/span>可饱和输出耦合?SOC)＋/span>共振可饱和吸收镜RSAM＋/span>可饱和噪声抑制器SANOS，和用于透过应用皃/span>?/span>饱和吸收?SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm?.6m的常用激光波长范围；封装形式多样，可适用于不同激光系统结构、/span>
半导体可饱和吸收镛/span>SESAM产品
Wavelength region 790 nm ... 830 nm:800 nm
Wavelength region 910 nm ... 990 nm:940 nm|980 nm
Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm:1040 nm|1064 nm|1100 nm
Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm:1150 nm|1300 nm
Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm:1340 nm|1420 nm
Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm:1510 nm|1550 nm|1645 nm
Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm:2000 nm|2150 nm|2400 nm|3000 nm
查看当前SESAM型号９/strong>SESAM半导体可饱和吸收德国BATOP官网链接
半导体可饱和吸收镛/span>的不同封装形弎/span>
规格型号９/span> |
描述 |
SAM--A--x |
=波长＋/span>A=吸收率，=弛豫时间＋/span>x=封装形式 |
x=4.0-0 |
?裸芯片，芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm |
x = 1.0b-0 |
?一盒，4个裸芯片，芯片尺?.0 mm x 1.0 mm |
x = 1.3b-0 |
?一盒，4个裸芯片，芯片尺?.3mm x 1.3 mm |
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直径12.7 mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-12.7g-c ?边缘安装：x = 4.0-12.7g-e |
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直径12.7 mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-12.7s-c ?边缘安装：x = 4.0-12.7s-e |
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直径25.0mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-25.0g-c ?边缘安装：x = 4.0-25.0g-e |
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直径25.0mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-25.0s-c ?边缘安装：x = 4.0-25.0s-e |
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直径25.4mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-25.4g-c ?边缘安装：x = 4.0-25.4g-e |
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直径25.4mm的铜散热基底 ?中心安装：x = 4.0-25.4s-c ?边缘安装：x = 4.0-25.4s-e |
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm，焊接在水冷铜散热片上，直径25.0 mm ?中心安装９/span>x = 4.0-25.0w-c ?边缘安装９/span>x = 4.0-25.0w-e |
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e |
?芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，薄膜焊接在水冷铜散热器上，直径25.0 mm，适用于高功率应用、/span> ?中心安装：x = 4.0-25.0h-c ?边缘安装：x = 4.0-25.0h-e |
x = FC/PC或 FC/APC |
?安装?/span>1米长的单模光纤上、/span> ?可用光纤９/span>HI 980＋/span>HI 1060＋/span>Panda SM98-PS-U25A ?FC / PC接头９/span>x = FC / PC ?FC / APC接头９/span>x = FC / APC |
订购示例 |
SAM-1064-2-1ps-4.0-0＋/span>SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060 |
附件９/span> |
|
FM-1.3 |
1.3芯片专用散热底座 |
PHS |
光纤耦合封装专用散热底座 |
>>裸片SAM
| 标准 | 可选项 | |
| GaAs芯片尺寸 | 4mm4mm | 其他尺寸可逈/span> |
| 芯片厚度 | 400um | 150um |
| 芯片背面 | 原切/磨砂 | 抛光可逈/span> |
| SESAM正面镀保护电解质膜 | ||
>>光纤耦合封装半导体可饱和吸收镜SAM
?GaAs 芯片尺寸? mm x 1 mm ?.3 mm x 1.3 mm
?芯片厚度?50 m
?芯片背面 ９/span>原切/磨砂
?SESAM芯片正面镀保护电解质膜
>> 光纤封装可饱和吸收镜SAM，带散热底座
?SAM与FC/PC接口的光纤头之间的链接可以轻松拆卸，利用这个封装，可以在一台激光器上就实现测试多个SAM性能的目的、/span>
?当SAM表面有不幸损伤，可以轻松换芯片，所以再次实验可以用同样的的SAM芯片、/span>
>>带有散热底座的自由空闳/span>可饱和吸收镜SAM
?GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
?芯片厚度 450 m 150um可逈/span>
?芯片背面原切/磨砂
?SESAM芯片正面镀保护电解质膜
?SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座三/span>
>>带有水冷封装皃/span>可饱和吸收镜SAM
?GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
?芯片厚度 ?50 m
?芯片背面９/span>原切/磨砂
?SESAM芯片正面镀保护电解质膜
?SESAM 镀金的Cu底座上，并带有水冷装?/span>
>>带有光纤封装皃/span>可饱和吸收镜SAM
?GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
?芯片厚度 ?50 m
?SAM芯片用胶粘在一个单模光纤一端，光纤接头FC/APC，其他接头类型可逈/span>
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