GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，�?1THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群�?00K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大�?4pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制、�/p>

宽度�?.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大�?4pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制、�/p>

注：GaSe晶体的解理面�?001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎、�/p>

应用领域

?太赫兹时域系绞�/p>

?太赫兹源晶体

?中远红外气体探测

?CO2激光的SHG

?THZ实验光源

?太赫兹成僎�/p>

产品特点

? 太赫兹振荡能达到有非常宽的频埞�/p>

? 抗损伤阈值高

? 非线性系数大

? CO2激光的SHG

? 多种尺寸可逈�/p>

? 客户导向的解决方桇�/p>

? 接受客户定制服务