SI APD雪崩光电探测�?/span>

AD100-8 TO

圆形有源匹�/span>APD芯片直径丹�/span>100��m� 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求，两种TO52类型可供选择、�/span>

产品特征９�/span>

APD具有0.008mm²的有效面�?/span>

100��m直径有效面积

低偏置电压时的高增益

快速上升时间，低电宸�/span>

**增益９�span>50-60

产品应用９�/span>

激光测距仪

高速光度测宙�/span>

高速光通信

用器杏�/span>

****额定倻�/span>９�/span>

符号	参数	*小倻�/span>	**倻�/span>	单位
TSTG	Storage temp	-55	125	ℂ�/span>
TOP	Operating temp	-40	100	ℂ�/span>
Mmax	Gain＇�/span>IPO=1 nA（�/span>	-200
IPEAK	Peak DC current		0.25	mA

光电参数@23℃：

符号	特�?/span>	测试条件	*小倻�/span>	典型倻�/span>	**倻�/span>	单位
	有效区域		直径100			um
	有效区域		0.00785			mm2
ID	暗电�?/span>	M=100		0.05	0.1	nA
C	电容	M=100		0.5		pF
	响应	M=100：�/span>��=800nm	45	50		A/W
tR	上升时间	M=100：�/span>��=905nm：�/span>RL=50?			0.18	ns
	截止频率	-3dB	2			GHz
VBR	击穿电压	IR=2uA	80		160	v
	温度系数	VBR随时间变匕�/span>	0.35	0.45	0.55	V/K
	过大噪声因素	M=100		2.2
	过大噪声指数	M=100		0.2

光谱响应图（M=100）：

量子效应＇�/span>23℃） 电容为反偏压�?3��C（�/span>

乘积作为偏压＇�/span>23��C＋�/span>60℃） 暗电流为偏压＇�/span>23℃，60℃）

应用提示９�/span>

?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限�- IC限制

?对于低光照应用，应使用环境光的遮挠�/span>

?对于高增益应用，偏置电压应进行温度补偾�/span>

?处理时请考虑基本皃�span>ESD保护

?使用低噪声读�- IC

?有关更多问题，请参阅文档“处理和处理说明“�/span>

?**增益９�span>50-60

封装图：

包装尺寸９�/span>

少量：泡沫垫，盒装（12厘米x 16.5厘米（�/span>