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405nm 50mW同轴封装 单模光纤 半导体激光器
405nm 50mW单模光纤耦合激光器
订购型号9/span>MPLP-405-050m-4
极限参数 |
符号 |
数倻/span> |
单位 |
反向电压 |
Vre |
5.0 |
V |
工作温度 |
Top |
0-+70 |
ℂ/span> |
存储温度 |
Tst |
-35-+85 |
ℂ/span> |
焊接温度 |
Tis |
260 |
ℂ/span> |
主要特征 波长405nm 3-4m单模光纤 同轴封装 光电探测器可逈/span> 应用领域 医疗 印刷 |
典型技术指标(25ℂ/span>(/span> |
符号 |
单位 |
*小倻/span> |
典型倻/span> |
**倻/span> |
|
光学参数 |
中心波长 |
c |
nm |
400 |
405 |
410 |
连续输出功率 |
Po |
mW |
- |
50mW |
- |
|
光谱宽度 |
?#955; |
nm |
- |
2.0 |
- |
|
波长温度系数 |
- |
Nm/ℂ/span> |
- |
- |
- |
|
光纤参数 |
光纤芯径 |
Wc |
m |
3 |
||
数值孔徃/span> |
NA |
nm |
0.12 |
|||
光纤长度 |
cm |
80 |
100 |
|||
光纤类型 |
紫外单模光纤 |
|||||
连接?/span> |
FC/ST/SMA905 |
|||||
电学参数 |
工作电压 |
Vop |
V |
- |
4.6 |
5.5 |
阈值电?/span> |
Ith |
mA |
- |
35 |
50 |
|
工作电流 |
Iop |
mA |
- |
110 |
130 |
|
监测电流 |
mA |
- |
||||
微分效率 |
D |
mW/mA |
1.0 |
1.5 |
2.0 |
|
PD参数 |
反向耐压 |
V |
- |
|||
正向电流 |
mA |
|||||
其他参数 |
封装类型 |
同轴 |
||||
侧面探测器可逈/span> |
同轴封装国/span>
引脚底部国/span>
1 |
LD(+) |
2 |
GND |
3 |
LD(-) |
注意事项
一-/span>激光器工作时避免激光器直射眼镜和皮肤,即使很微弱的激光进入眼睛,经过眼睛的会聚作用,也可能造成严重的损伤、/span>
二.激光器需要稳定的驱动电源,避免出现浪涌,瞬时反向电流反向电压不能超过极限值,否则会损坏元器件、/span>
三.半导体激光器对温度比较敏感,在高温工作会降低转换效率,加速元器件?/span>化,需要在充分散热或制冷的条件下使用、/span>
四.激光器应在额定电流,额定功率下使用,输出功率过高会加速元器件老化、/span>
五.激光器属于静电敏感器件,在运输,储存和使用中必须采取防靘/span>电措施、/span>
六.激光器应存放或工作在干燥,通风的环境中,防止结露损坏激先/span>器、/span>
七.发光面(腔面)是激光器的关键部分之一,避免任何操作损伤到腔面,器件使用过程中应确保管芯不被污染并防止机械损伤、/span>
八.光纤不可有大角度的弯折,弯曲直径要大亍/span> 300倍光纤直徃/span>