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InGaAs单光子雪崩光电二极管
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太赫兹频率测量仪THz Frequency Mete

1550nm高峰值功率脉冲光纤激光器(DTS,激光雷?

TDLAS激光气体分析综合控制器紫外波段氟化锂光学晶体窗?0.104m-7m)

NTT 1398nm高温水分子检测DFB激光器TDLAS1567nm 2nm可调谐DFB CO气体检测激光器
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MP5522型系刖/span>盖革模式InGaAs单光子雪崩光电二极管

2产品特?/span>The features

专为单光子探测应用设计，盖革模式工作

响应光谱范围1000nm-1650nm

2应用领域Applications

量子通信

时间相关单光子计?/span>

光时域反射计

3D成像

激光测跜/span>

DNA测序

光学相干层析

荧光检测及其光谱分枏/span>

光电性能The opto-eletronic characteristics

静态参数（@Tc=223ℂ/span>（/span>

特性参?span>Parameters

符号

Sym.

测试条件Test conditions

*導/span>Min

典型Typ

**

Max

单位

Unit

光谱响应范围

Response Spectrum

–/span>

1000｝/span>1650

nm

响应?/span>

Reponsivity

Re

=1.55m＋/span>VR=VBR-2V＋/span>e=1w

10

14

A/W

反向击穿电压

Reverse breakdown voltage

VBR

ID=10mA＋/span>Tc=22ℂ/span>

65

75

V

工作电压温度系数

Operating voltagetemperaturecoefficient

Tc=-60｝/span>+30ℂ/span>＋/span>ID=10mA

0.1

V/ℂ/span>

暗电?/span>

Dark current

ID

e=0w＋/span>VR=VBR-2V

3.0

nA

结电宸/span>

Total capacitance

Ctot

1MHz＋/span>VR=VBR-2V

0.2

pF

盖革模式下性能参数

参数

Parameter

测试条件

Test conditions

MP5512Y/MP5522Y

MP5513Y/MP5523Y

单位

Unit

*小Min

**Max

*小Min

**Max

暗计数率(DCR)

fgate=50kHz＋/span>Tgate=10ns＋/span>SPDE=10%

10

3

kHz

单光子探测效玆span>(SPDE)

fgate=fpulse=50kHz＋/span>Tgate=10ns DCR=10kHz＋/span>=1.55m＋/span>

0.1 photon per pulse

10

20

%

后脉冲概玆span>(APP)

@2usfpulse=50kHzTgate=10ns SPDE=10% =1.55m＋/span>

0.1 photon per pulse

2

2

%

测试条件补充说明９/span>

1MP5512Y/MP5522Y测试温度丹/span>TA= -35ℂspan>＋/span>MP5513Y/MP5523Y测温度为TA= -43ℂ/span>

2过偏厊/span>Vob范围９/span>1.0~2.0V

3直流工作电压Vdc范围９/span>(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

以上数据仅供参考，用户需要根据实际的应用来选择适合的工作条件、/span>

2**额定倻/span>Maximum ratings

参数

条件

*小倻/span>

**倻/span>

单位

正向电流

Forward current

连续方式

1

mA

正向电压

Forward voltage

连续方式

1

V

反向电流

Reverse current

连续方式

1

mA

反向电压

Reverse voltage

连续方式

Vbr+5

V

脉冲方式

Vbr+10

入射光功玆/span>Optical Power

连续方式

(CW)

1

mW

贮存温度

storagetemperature

-55

85

ℂ/span>

2典型特性曲纾/span>The typical characteristical curve

Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of theMP5522Y/MP5512Y when PDE=10%

国/span>1MP5522Y/MP5512Y PDE=10%时，温度对暗计数率和后脉冲概率的影响

Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of theMP5522Y/MP5512Y

国/span>2MP5522Y/MP5512Y光电?/span>-暗电流曲纾/span>

2封装外形及尺寷/span>The package

1.MP5512Y/MP5513Y

2.MP5522Y/MP5523Y

2引脚定义

管脚

符号

功能定义

1

P

P＇/span>anode（/span>

2

G

Case Ground

3

N

N (cathode)

2注意事项The cautions

该器件需要温度反馈工作电压控刵/span>

This device needs feedback of voltage temperature when operating.

贮运、使用注意静电保护措於/span>

The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage transporting and using.

光纤弯曲半径不小亍/span>20mm

The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.

使用前保证光纤连接处洁净

Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.

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筱晓（上海）光子技术有限公号/a>官方展台田a href="//www.znpla.com/shxx/">中国粉体罐/a>设计制作，工商信息已核实、br /> 公司地址：上海市金山区枫泾镇曹黎?8?9?117宣br /> https://shxx.cnpowder.com.cn/