IRD-GE-10 Ge超大光敏面锗光电二极箠�/strong>＇�/span>10mm）－近红外波镾�/span>

产品描述

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管、�/span>

我们有高逞�/span>硅光电二极管、�/span>也有�?/span>900�?/span>2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管皃�/span>1800 nm。双波段光电事�/span>极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测�?/span>(硅基底在上，铟镓砷基底在上�/span>)，组合波长范围从400�?/span>1700 nm、�/span>

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔、�/span>

产品特点:

?小光敏面大光敏面可逈�/span>(100��m to 25mm)

?800nm to 1800nm光谱响应

?高线�?/span>> 10 dBm

?可以定制透镜组合(Biconvex� Planoconvex� or Ball)

?封装方式可逈�/span>(TO-46� TO-18� TO-5� TO-8� TO-9 or BNC)

应用领域

激光功率计

?LED/LD老化诊断

?光谱�?/span>

?LED/LD特�?/span>

?眼睛安全激光检测传感器

技术参数�?/span>

Specifications
探测材料	Ge
响应波长	800 - 1800 nm
峰倻�/span>波长	1550 nm (Typ.)
响应�?/span>	0.85 A/W (Typ.)
光敏面直徃�/span>	78.5mm2(?10mm)
上升/下降沿时�(RL= 50 Ohms� 10 V)	500 ns /500 ns (Typ.)
NEP� Typical (1550 nm)	4.0 x 10-12W/Hz1/2(Typ.)
暗电�?/span>(5 V)	60 ��A (Max.)
电容(10 V)电容(0 V)	1800 pF (Max.)16000 pF (Max.)
分流电阻	4000 Ohm (Typ.)
封装形式	TO-8

Max Ratings
**击穿打压	10 V
操作温度	-55 to 60 ��C
存储温度	-55 to 60 ��C

�?/span>1９�/span>典型值；RL = 50 ��，除非另有说昍�/span>

2.NEP指定在光伏模式下

光谱响应曲线９�/span>

推荐电路９�/span>

订购型号９�/span>

型号９�/span>IRD-GE-10单价９�/span>3950兂�/span>/� 库存数量９�/span>5�?/span>

描述９�/span>

光谱响应范围:800-1800nm

直径:10mm;

响应�?/span>@1550nm:0.85 A/W

2Pin脙�/span>