MP6514S型探测器组件田�/span>4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片�?/span>CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95｝�/span>1.65_��m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输凹�/span>TTL电信号、�/span>

主要特点

●光谱响应波殴�span>0.95 ~ 1.65��m

●采用金属封装，器件质轻灵巧

●像元独立、自由运�

●像元可探测弱光子信�

●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可谂�/span>

应用方向

●透雾、霾、烟尘等测距

●近红外激光告�?/span>

●远距离激光测跜�/span>

●远距离空间激光通信

探测器面阵规栻�/span>

	性能描述
器件类型	InGaAs APD
阵列规模	4x4
像元大小	100��mx 100��m
光敏面大導�/span>[1]	85��mx 85��m
光窗	石英光窗
感光靶面至光窗外表面间距	4mm (光窗厚度丹�/span>1mm )
�?span>[1]:单片集成微透镜焦距150��m、�/span>

主要性能指标(T_c=22 +3��C )

特性参�?/span>	参数指标
工作波长[1]	0.95 ~ 1.65��m
探测效率	�?0% ( 1.57 +0.05��m)
暗计数率	�?0KHz
时间抖动	�?00ps
死时闳�/span>	100 ~ 1000ns可调
有效像元玆�/span>	100%
�?span>[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片、�/span>

****额定倻�/span>

参数	额定倻�/span>	单位
工作温度范围Tc	-40~+55	��C
贮存温度范围TSTG	-40~ +70	��C
**功耖�span>P	15	W
输入偏置范围VR	4.9 ~ 5.5	V
静电放电敏感度ESD	1000 ~ 2000	V

质量可靠性保�?/span>

◎�/span>产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求、�/span>

封装外形结构与尺寷�/span>(单位: mm )

电学接口

●电源输�?span>: +5V

●数据输出类垊�span>: TTL

●控制命令接叢�span>: J63A-31

●电源输入接口类垊�span>: J30J

●数据输出接口类垊�span>: J63A-31

●外触发接口: SSMA

接口编号	功能
1	SSMA-1:内同步信号输凹�/span>
2	SSMA-2:外同步信号输�?/span>
3	J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口
4	J30J: +5V单电源供甴�/span>