MDPpicts 温度依赖的光感应电流瞬态图谱检浊�/strong>

Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy

微波探测皃�/span>光感应电流瞬�?/span>国�/span>谰�/span>检浊�/span>，非接触专�/span>无损伣�/span>＋�/span>用于温度依赖皃�/span>少数载流子寿命测野�/span>以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征、�/span>

应用行业：半导体材料基础研究与开叐�/span>

灵敏度：对电子缺陷表征的 灵敏�?/span>

国�/span>1. 与温度有关的载流子发射瞬�

温度范围：液�?/span>(77k)�?00k。可逈�液氦(4k)或更高温�?/span>衰变常数范围９�/span>20纳秒到几毫秒污染测定：测量基础的陷阱能级：陷阱的活化能和俘获截面，基于温度和注入的寿命测定重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2�?欠�/span>弹性：可从不同波长(�?65nm�?480nm)选择不同种类的材斘�/span>可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支�?/span>仍�/span>Arrhenius斜率(�?)可以确定活化能、�/span>利用这种新型的商�?/span>MDPpicts设备，可以在20~500k范围内测量温度依赖性的光电导瞬态。在过去，Si� GaAs� InP� SiC和更多的半导体已经成功采用了这种方法进行研究�

�?. 不同ID的评件�/span>

国�/span>3.Arrhenius曲线国�/span>国�/span>4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱