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采用INNES方法分析介孔分子 (IV 型吸附等温线)

采用INNES方法分析介孔分子 (IV 型吸附等温线)

通过吸附等温线来分析介孔材料的孔径分布时,总是有必要假设孔的形状。使用BJH理论会假设孔的形状为圆柱形,而使用INNES会假设孔的形状为狭缝型。在INNES方法中,弯月面半径的计算方式同BJH一样,都是通过开尔文方程进行计算,并且校正了厚度层,孔径计算公式见公?。如?所示,当孔形状为狭缝型时,在吸附过程中不会出现毛细冷凝现象,而发生在脱附曲线一侧,所以有必要用脱附曲线来计算孔分布、/span>

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从SEM图中可以看出,铵离子型ZSM-5是一种尺寸为200nm的多面体层状瓷砖型团聚颗粒。目前已证实,通过535℃常压下加热3小时制备得到的酸型ZSM-5在颗粒层之间由狭缝型微孔结构组成。图2显示了酸型ZSM-5?7.4K下的N2的脱附等温线,回滞环在相对压力P/P0=0.42处闭合证明了介孔的存在。并且,吸附等温线也显示出I型和IV型复合曲线,表明颗粒间存在微孔、/span>

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?显示了INNES曲线,酸型ZSM-5的介孔分布中显示峰值孔径分布在2nm?nm左右。除了一些特殊的低压区滞后现象,?7.4K的N2吸附曲线中,无论孔径大小,脱附曲线和吸附曲线会在P/P0=0.42处重?见图2)。这是由于在吸附温度下吸附的物理性质引起的,如右下图所示,由于孔隙中吸附相凝聚形成的气穴现象造成。因此,当通过发生气穴的脱附曲线分析孔径分布时,在2-3nm处总会出现孔径峰值,但这并不是材料的孔隙,实际上是一个假峰。所以此材料的峰值孔径为5 nm。这个材料的微孔分析会在另外一个应用报告中描述(No.13)、/span>

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