ä¸å›½ç²‰ä½“网讯大约从å‰å¹´å¼€å§‹ï¼Œæˆ‘国氧化é“产能过剩的苗头åˆçŽ°ï¼Œç›´è‡³å½“å‰ï¼Œäº§èƒ½è¿‡å‰©å·²æ„ˆå‘显现。截æ¢åˆ°2022年,我国氧化é“总建æˆäº§èƒ½è¾¾9695万å¨ï¼Œè€Œç”µè§£é“建æˆäº§èƒ½4516.1万å¨ã€‚按照一å¨ç”µè§£é“消è€?.925å¨çš„氧化é“æ¥è®¡ç®—,国内的氧化é“过剩产能达到了1002万å¨ã€‚å³ä¾¿è€ƒè™‘到精细氧化é“生产消耗é‡ï¼Œæˆ‘国的氧化é“产能ä»ä¸¥é‡è¿‡å‰©ã€ü/p>
ä»·æ ¼æ–¹é¢ï¼Œç›®å‰å†¶é‡‘级氧化é“ä»·æ ¼åœ¨2700-3220å…?å¨ã€‚æ®ä¸ç²‰èµ„è®¯Â·ç²‰ä½“ä»·æ ¼æŒ‡æ•°æœ€æ–°æ•°æ®æ˜¾ç¤ºï¼Œæˆ‘国精细氧化é“主产区山东地区普通煅烧α氧化é“åŽŸç²‰ä»·æ ¼åœ?320-3500å…?å¨ï¼Œæ™®é€šå¾®ç²‰ä»·æ ¼åœ¨3650-3850å…?å¨ï¼Œç›¸æ¯”è¿›å£é«˜çº¯æ°§åŒ–é“åŠ¨è¾„å‡ å万元æ¯å¨çš„ä»·æ ¼ï¼Œå¯è°“是差è·å·¨å¤§ï¼Œå³ä¾¿æ˜¯å›½äº§çš„高纯氧化é“产å“,其å‡ä»·ä¹Ÿä¸Žé«˜ç«¯è¿›å£ä»·æ ¼ç›¸å·®10万元/å¨å·¦å³ã€ü/p>
æ¥æºï¼šä¸ç²‰èµ„è®¯Â·ç²‰ä½“ä»·æ ¼æŒ‡æ•?/p>
而æ®ä¸šå†…人士介ç»ï¼Œä»Žå›½å¤–è¿›å£çš„用于抛光行业并对产å“æŒ‡æ ‡æœ‰ç»†è‡´è¦æ±‚的高纯纳米氧化é“ï¼Œä»·æ ¼å¯é«˜è¾¾100万元/å¨ä»¥ä¸Šã€ü/strong>
最顶级ã€å”¯ä¸€çš„å¹³å¦åŒ–抛光技术——化å¦æœºæ¢°æŠ›å…?CMP)
首先我们æ¥è®¤è¯†ä¸€é¡¹æŠ›å…‰æŠ€æœ¯ï¼šåŒ–å¦æœºæ¢°æŠ›å…‰ã€ü/p>
20世纪70年代开始,多层金属化技术引入到集æˆç”µè·¯åˆ¶é€ 工艺ä¸ï¼Œä½¿å¾—芯片的立体空间得到了高效利用,æ高了器件的集æˆåº¦ã€‚然而这项技术使得硅片表é¢ä¸å¹³æ•´åŠ 剧,并且由æ¤å¼•å‘的一系列问题,严é‡å½±å“了大规模集æˆç”µè·¯çš„å‘展ã€ü/p>
化å¦æœºæ¢°æŠ›å…‰ï¼ˆCMP)是åŠå¯¼ä½“先进制程ä¸çš„关键技术,其主è¦å·¥ä½œåŽŸç†æ˜¯åœ¨ä¸€å®šåŽ‹åŠ›ä¸‹åŠæŠ›å…‰æ¶²çš„å˜åœ¨ä¸‹ï¼Œè¢«æŠ›å…‰çš„晶圆对抛光垫åšç›¸å¯¹è¿åŠ¨ï¼Œå€ŸåŠ©çº³ç±³ç£¨æ–™çš„æœºæ¢°ç ”ç£¨ä½œç”¨ä¸Žå„类化å¦è¯•å‰‚的化å¦ä½œç”¨ä¹‹é—´çš„高度有机结åˆï¼Œä½¿è¢«æŠ›å…‰çš„晶圆表é¢è¾¾åˆ°é«˜åº¦å¹³å¦åŒ–ã€ä½Žè¡¨é¢ç²—糙度和低缺陷的è¦æ±‚ã€‚æ ¹æ®ä¸åŒå·¥è‰ºåˆ¶ç¨‹å’ŒæŠ€æœ¯èŠ‚点的è¦æ±‚,æ¯ä¸€ç‰‡æ™¶åœ†åœ¨ç”Ÿäº§è¿‡ç¨‹ä¸éƒ½ä¼šç»åŽ†å‡ é“ç”šè‡³å‡ åé“çš„CMP工艺æ¥éª¤ã€‚ä¸Žä¼ ç»Ÿçš„çº¯æœºæ¢°æˆ–çº¯åŒ–å¦çš„抛光方法ä¸åŒï¼ŒCMP工艺是通过表é¢åŒ–å¦ä½œç”¨å’Œæœºæ¢°ç ”磨的技术结åˆæ¥å®žçŽ°æ™¶åœ†è¡¨é¢å¾®ç±³/纳米级ä¸åŒæ料的去除,从而达到晶圆表é¢çš„高度(纳米级)平å¦åŒ–效应,使下一æ¥çš„光刻工艺得以进行ã€?nbsp;
åœ?988~1991年间,IBMå…¬å¸åœ¨DRAM的生产过程ä¸å¤šæ¬¡è¿ç”¨CMP技术。从æ¤ä»¥åŽï¼ŒCMP技术广泛应用于集æˆç”µè·¯åˆ¶é€ 领域。CMP是目å‰åœ¨åŠå¯¼ä½“工业ä¸å”¯ä¸€èƒ½å¤Ÿå®žçŽ°å…¨å±€å¹³å¦åŒ–的技术,其技术的å‘展对集æˆç”µè·¯çš„å‘展有ç€é‡è¦çš„å½±å“ã€ü/p>
高纯纳米氧化é“å·²æˆä¸ºCMP抛光液的é‡è¦ç£¨æ–™
抛光液的性能是影å“化å¦æœºæ¢°æŠ›å…‰è´¨é‡å’ŒæŠ›å…‰æ•ˆçŽ‡çš„å…³é”®å› ç´ ä¹‹ä¸€ã€‚æŠ›å…‰æ¶²å…·æœ‰æŠ€æœ¯å«é‡é«˜ã€ä¿å¯†æ€§å¼ºã€ä¸å¯å›žæ”¶ç‰ç‰¹ç‚¹ï¼Œè¿™ä½¿å…¶æˆä¸ºCMP技术ä¸æˆæœ¬æœ€é«˜çš„部分ã€ü/p>
è“å®çŸ³æ°§åŒ–é“抛光液,实物æ¥æºï¼šè‹å·žçº³è¿ªå¾®
抛光液主è¦ç”±ç£¨æ–™ã€æº¶å‰‚å’Œæ·»åŠ å‰‚ç»„æˆï¼Œå…¶ç§ç±»ã€æ€§è´¨ã€ç²’径大å°ã€é¢—粒分散度åŠç¨³å®šæ€§ç‰ä¸Žæœ€ç»ˆæŠ›å…‰æ•ˆæžœç´§å¯†ç›¸å…³ã€‚ç›®å‰å¸‚åœºä¸Šä½¿ç”¨æœ€ä¸ºå¹¿æ³›çš„å‡ ç§ç£¨æ–™æ˜¯SiO2ã€CeO2ã€?span style="text-align: justify; text-indent: 32px;">Al2O3。SiO2抛光液选择性ã€åˆ†æ•£æ€§å¥½ï¼Œæœºæ¢°ç£¨æŸæ€§èƒ½è¾ƒå¥½ï¼ŒåŒ–å¦æ€§è´¨æ´»æ³¼ï¼Œå¹¶ä¸”åŽæ¸…洗过程处ç†è¾ƒå®¹æ˜“;缺点为在抛光过程ä¸æ˜“产生å‡èƒ¶ï¼Œå¯¹ç¡¬åº•æ料抛光速率低。CeO2抛光液的优点是抛光速率高,æ料去除速率高;缺点是é»åº¦å¤§ã€æ˜“划伤,且选择性ä¸å¥½ï¼ŒåŽç»æ¸…洗困难。Î?Al2O3硬度大ã€æ€§èƒ½ç¨³å®šã€ä¸æº¶äºŽæ°´ã€ä¸æº¶äºŽé…¸ç¢±ï¼Œå¯¹äºŽç¡¬åº•æ料如è“å®çŸ³ã€ç¢³åŒ–硅衬底ç‰å´å…·æœ‰ä¼˜è‰¯çš„去除速率。éšç€LEDè“å®çŸ³è¡¬åº•ã€ç¡…晶片的需求日益增长以åŠç¢³åŒ–ç¡…åŠå¯¼ä½“产业的兴起,Al2O3抛光液在CMPä¸çš„应用显得更为é‡è¦ã€ü/p>
高纯纳米氧化é“的制备方法简今ü/strong>
高纯纳米氧化é“常è§çš„制备方法å¯åˆ†ä¸ºä¸‰å¤§ç±»ï¼šå›ºç›¸æ³•ã€æ°”相法ã€æ¶²ç›¸æ³•ã€ü/p>
固相法ä¸çš„碳酸é“铵çƒè§£æ³•ã€æ”¹è‰¯æ‹œå°”法ã€çˆ†ç‚¸æ³•ç‰æ˜¯æ¯”较æˆç†Ÿçš„制备方法。固相法制备超细粉末的æµç¨‹ç®€å•ï¼Œæ— 需溶剂,产率较高,但生æˆçš„粉末易产生团èšï¼Œä¸”粒度ä¸æ˜“控制,难以得到分布å‡åŒ€çš„å°ç²’径的高质é‡çº³ç±³ç²‰ä½“ã€ü/p>
气相法主è¦æœ‰åŒ–å¦æ°”ç›¸æ²‰æ·€æ³•ï¼Œé€šè¿‡åŠ çƒç‰æ–¹å¼æ”¹å˜ç‰©è´¨å½¢æ€ï¼Œåœ¨æ°”体状æ€ä¸‹å‘生å应,之åŽåœ¨å†·å´è¿‡ç¨‹ä¸å½¢æˆé¢—粒。气相法的优点是å应æ¡ä»¶å¯ä»¥æŽ§åˆ¶ã€äº§ç‰©æ˜“精制,颗粒分散性好ã€ç²’径å°ã€åˆ†å¸ƒçª„,但产出率低,粉末难收集ã€ü/p>
液相法常è§çš„有醇é“水解ã€å–·é›¾å¹²ç‡¥ã€æº¶èƒ¶å‡èƒ¶ã€ä¹³åŒ–ç‰å‡ ç§æ–¹æ³•ï¼Œå…¶ä¸é†‡é“水解法是最常用的制备技术,该法是将异丙仲ä¸é†‡æˆ–异丙醇é“çš„é†‡æº¶æ¶²åŠ å…¥æ°´ä¸æ°´è§£ï¼Œé€šè¿‡æŽ§åˆ¶æ°´è§£äº§ç‰©çš„缩èšè¿‡ç¨‹æŽ§åˆ¶äº§ç”Ÿçš„颗粒大å°ï¼Œç»è¿‡é«˜æ¸©ç……烧制得高纯纳米氧化é“ã€ü/p>
制备之åŽè¿˜éœ€æ”¹æ€?/strong>
由于纳米α-氧化é“çš„ç¡¬åº¦å¾ˆé«˜ï¼Œå› æ¤æŠ›å…‰æ—¶æ˜“对工件表é¢é€ æˆä¸¥é‡çš„æŸä¼¤ï¼Œè€Œä¸”纳米氧化é“的表é¢èƒ½æ¯”较高,粒å易团èšï¼Œä¹Ÿä¼šé€ æˆæŠ›å…‰å·¥ä»¶çš„划痕ã€å‡¹å‘ç‰è¡¨é¢ç¼ºé™·ã€‚为了æ高抛光工件的表é¢è´¨é‡å’Œç²’å的分散稳定性,需è¦å¯¹çº³ç±³æ°§åŒ–é“进行了表é¢æ”¹æ€§ã€‚å¤æ‚的生产åŠåŠ 工技术也使得æ¤ç§æ°§åŒ–é“得以“天价â€å‡ºå”®ã€ü/p>
对纳米氧化é“表é¢æ”¹æ€§çš„目的是æ高颗粒表é¢è§„则度,å‡å°‘抛光划痕和凹å‘,åŒæ—¶æ高氧化é“磨料分散度和抛光液稳定性。常è§çš„处ç†æ–¹æ³•ä¸ºåˆ©ç”¨å¶è”剂ã€æœ‰æœºç‰©ã€æ— 机物ç‰åœ¨ç¡¬åº¦è¾ƒé«˜çš„氧化é“ç²’å表é¢åŒ…覆一层较软的物质以å‡å°‘抛光划痕和凹å‘ç‰ç¼ºé™·ï¼Œè¿›è€Œæ”¹å–„氧化é“抛光液的稳定性和分散性,åŒæ—¶èƒ½æœ‰æ•ˆæ高抛光磨料的è€ç£¨æ€§èƒ½ã€‚æ¤å¤–,还å¯ä»¥é€šè¿‡æ”¹å˜æ°§åŒ–é“颗粒Zeta电ä½æ¥æ高抛光液的稳定性ã€ü/p>
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ç›®å‰é«˜çº¯çº³ç±³å¸‚场ä»è¢«å›½å¤–ä¼ä¸šåž„æ–,如ä½å‹åŒ–å¦ã€æ³•å›½Baikowskiã€æ—¥æœ¬å¤§æ˜ŽåŒ–å¦ç‰ï¼Œå…¶ä¸ä½å‹åŒ–å¦æ˜¯å¸‚场份é¢æœ€å¤§çš„ä¼ä¸šã€‚è¿™å‡ å¹´ï¼Œä»Žå›½å®¶å±‚é¢åˆ°äº§ä¸šç•Œå‡è®¤è¯†åˆ°é«˜çº¯çº³ç±³æ°§åŒ–é“çš„é‡è¦æ€§ï¼Œå¼€å§‹äº†è¿½èµ¶ä¹‹è·¯ï¼Œç”Ÿäº§ä¼ä¸šæ•°é‡ä¹Ÿè¾¾åˆ°å‡ å家,但å—é™äºŽèµ„本和技术门槛的é™åˆ¶ï¼Œè¿™äº›ä¼ä¸šçš„产å“主è¦é›†ä¸åœ¨ä¸ä½Žç«¯å¸‚场,市场竞争力也è¦å¼±å¾ˆå¤šï¼Œå°¤å…¶åœ¨CMP抛光用氧化é“æ–¹é¢ï¼Œä»ä¾èµ–于进å£ï¼Œåœ¨åŠå¯¼ä½“产业已æˆä¸ºæ”¯æ’‘ç»æµŽç¤¾ä¼šå‘展和ä¿éšœå›½å®¶å®‰å…¨çš„战略性ã€åŸºç¡€æ€§å’Œå…ˆå¯¼æ€§äº§ä¸šçš„今天,实现高纯氧化é“ç‰äº§ä¸šé“¾å„环节æ料的自主å¯æŽ§åŠ¿åœ¨å¿…è¡Œã€ü/p>
å‚考æ¥æºï¼š
[1]å½è¿›ç?化å¦æœºæ¢°æŠ›å…‰æ¶²çš„å‘å±•çŽ°çŠ¶ä¸Žç ”ç©¶æ–¹åü/p>
[2]åŸå‡¡å®ç‰.化å¦æœºæ¢°æŠ›å…‰æ¶²çš„ç ”ç©¶è¿›å±•
[3]å´ä¿Šæ˜Ÿç‰.氧化é“抛光液磨料制备åŠå…¶ç¨³å®šæ€§ç ”究进
[4]安集科技2022年度报告
(ä¸å›½ç²‰ä½“网编辑整ç†/å±±å·ï¼ˆü/p>
注:图片éžå•†ä¸šç”¨é€”,å˜åœ¨ä¾µæƒå‘ŠçŸ¥åˆ 除