氮化铝（AlN）陶瓷基片是一种新型的基片材料，具有优异的电性能、力学性能以及热性能，其热导率高（理论热导率280W/m/K）、介电常数低（约�?.8）、拥有与硅Si相匹配的热膨胀系数�?93K-773K�?.8×10-6K-1）、电阻率高（>1014Ω•cm）、击穿场强高�?.4×107V/cm）、比重低（理论密�?.26g/cm3）、机械强度高（抗弯强�?00-400MPa）、无毒，是理想的大规模集成电路散热基板和封装杏�/span>料、�/span>除此之外，氮化铝陶瓷基板不含有机成分，铜层不含氧化层，对熔融金属有优良的耐腐蚀特殊性，使用寿命长，可在还原性气氛中长期使用，在国防、航空航天、通讯、微电子等领域内应用前景十分广阔、�/span>

然�?由于AlN是以共价键结合为主的化合�?自扩散系数小, 难以烧结致密，所以AlN的烧结工艺是基片材料制作过程中的一处难点�氮化铝陶瓷的烧结主要需要注意以下几点，首先是升温速率、烧结温度和保温时间，其次要选择合适的保护气氛防止AlN氧化，最后还要确保烧结设备有很好的温度均匀性、�/span>

Carbolite∙Gero（卡博莱特∙盖罗）在国内外氮化铝陶瓷烧结方面有非常广泛的客户群体和成熟的工艺技术，可为氮化铝陶瓷烧结提供温度高�?200℃的箱式炉（HTK系列）和钟罩炉（HBO系列）、�/span>

炉子的防辐射隔热屏蔽材料和加热元件是同一材质，没有纤维保温材料，所以可达到高真空度和纯净的气氛环境（纤维材料会有孔隙），保证了烧结工艺在高温下的安全性。Carbolite∙Gero还可保证高纯度气氛环境（>6N）和高真空度。根据要求提供氢气分压以及可燃或有毒气体的认证安全管理。用于质量控制的数据记录。另外，加热元件的合理分布、三区控温热技术以及气氛预热保证了设备良好的温度均匀性。除此之外，炉体可自动升降，过程十分平稳，确保样品不受震动的影响、�/span>

HBO 60/W22-1G用于LTCC/ALN基板及封裄�/span>

Carbolite∙Gero（卡博莱特∙盖罗）是专业高端的箱式、管式马弗炉和烘箱品牌，温度范围30�?3000℃，产品覆盖高温炉、真空炉、气氛炉、石墨炉，已被广泛应用于航空航天、陶瓷、煤炭、金属、电子等行业，并可为客户提供满足行业标准和工艺需求的定制化解决方案、�/span>