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中国碳化硅衬底产业发展研究报告(2023?026(/div>

出版机构 中国粉体罐/p>

服务形式:纸质版

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2023-02-15 中国粉体罐/span>
【报告概述【/div>
碳化硅衬底是新近蓬勃发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。碳化硅衬底制备作为难度最大、技术含量最高、价值占比最重的环节,是整个产业链的“压舱石”。本报告共分九章,从基础概念、分类应用、产业政策、产业技术路线、应用市场规模、行业重点企业、产业发展趋势等多方面进行分析论述,为碳化硅衬底产业链企业、政府相关部门、科研院所、投资者以及想要了解中国碳化硅衬底产业的朋友,提供全面系统、接近产业真实现状、具有参考价值的产业信息及趋势预判、/div>
【报告目录【/div>


第一 碳化硅衬底产业概?nbsp;
第一 碳化硅单晶衬底概?nbsp;
1.SiC晶体的结构特?nbsp;
2.SiC晶体的物理化学性质
3.SiC晶体的生长方?nbsp;
4.碳化硅衬底的定义
第二 碳化硅衬底分类及应用
1.导电型碳化硅衬底在功率器件上的应?nbsp;
2.半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用
第三 碳化硅衬底产业链结构
第四 碳化硅衬底行业背景、发展历史、现状及趋势
1.半导体行业概?nbsp;
2.半导体材料概?nbsp;
3.第三代半导体衬底材料概况
4.碳化硅衬底行业现状及发展趋势


第二 碳化硅衬底产业政?nbsp;
第一 国内外相关政?nbsp;
1.国外方面
2.国内方面
第二 碳化硅衬底相关国家标?nbsp;
第三 国家重点研发计划项目


第三 碳化硅衬底产业技?nbsp;
第一 碳化硅衬底生产工艺流?nbsp;
第二 碳化硅粉料合?nbsp;
1.气相法制备高纯SiC粉体
2.液相法制备高纯SiC粉体
3.固相法制备高纯SiC粉体
4.碳化硅粉料制备研究进?nbsp;
第三 碳化硅晶体生?nbsp;
1.碳化硅单晶生长系?nbsp;
2.晶体生长工艺参数
3.PVT法生长晶体研究进?nbsp;
4.其它两种方法概况
第四 衬底产业技术难度分?nbsp;
第五 衬底制备技术发展现状及未来趋势
1.扩大衬底尺寸的技术要?nbsp;
2.改进电学性能
3.降低微管密度
第六 衬底制备所涉及的主要设?nbsp;
1.粉料合成设备
2.长晶?nbsp;
3.切割设备
4.研磨设备


第四 碳化硅衬底应用市场预?nbsp;
第一 不同应用领域的碳化硅器件市场规模预测
1.功率器件的市场规模预?nbsp;
2.射频器件的市场规模预?nbsp;
第二 不同应用领域的碳化硅衬底市场规模预测
1.车用SiC衬底市场规模预测
2.5G基站用SiC衬底市场规模预测
第三 碳化硅衬底的产能规划及项?nbsp;
1.国内外碳化硅衬底产能规划
2.国内碳化硅衬底项目概?nbsp;
第四 不用尺寸的碳化硅衬底市场?英寸衬底进展
1.不同尺寸的碳化硅衬底市场发展趋势
2.国外8英寸碳化硅衬底市场进?nbsp;
3.国内8英寸碳化硅衬底市场进?nbsp;
第五 碳化硅衬底价格趋?nbsp;
第六 全球碳化硅市场竞争格局
1.全球碳化硅市场各方势力发展概?nbsp;
2.不同应用领域的衬底行业竞争格局


第五 全球碳化硅衬底主要生产商分析
1.企业一:战略转型的经典案例,全球碳化硅材料与器件的龙头
2.企业二:五年扩产5?0倍,垂直布局SiC产业?nbsp;
3.企业三:战略收购并购加速布局SiC业务
4.企业四:实现完全垂直整合的制造工?nbsp;
5.企业五:快人一步,巩固全球顶级半导体材料企业基础
6.企业六:三十年专业积淀,成就全新颠覆性工艺水凅/p>


第六 中国碳化硅衬底主要生产商分析
1. 企业七:与国际龙头企业并驾齐驱,引领国内碳化硅行业发?nbsp;
2.企业八:国内碳化硅晶片领域先行者,奠定碳化硅材料的应用基础
3.企业九:率先实现碳化硅材料产业链供应链自主可?nbsp;
4.企业十:国内主要的碳化硅衬底生产企业,形成了专业、先进、完整、稳定的碳化硅衬底生产线
5.企业十一:调整经营战略,冲刺导电型碳化硅衬底
6.企业十二:突?英寸SiC量产关键技术的黑马企业
7.其他布局碳化硅衬底的企业


第七 中国碳化硅衬底主要科研院所分析
1.中科院物理所功能晶体研究与应用中?nbsp;
2.山东大学晶体材料国家重点实验?nbsp;
3.浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院
4.西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心


第八 碳化硅衬底行业发展机遇和风险分析
第一 衬底行业发展机遇及主要驱动因?nbsp;
第二 碳化硅衬底行业发展面临的风险
第三 国产碳化硅衬底行业优?nbsp;
第四 碳化硅衬底行业面临的挑战


第九 报告总结

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