三菱电机计划2025财年开始在12英寸硅晶圆新产线上量产，稳定供应功率半导体器件，同时布局第四代宽禁带半导体材料氧化镓，接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件、�/p>2023�?9�?2�?nbsp;更新

以氧化镓材料制作的功率器件，相较于碳化硅和氮化镓所制成的产品，更加耐热且高效、成本更低、应用范围更广、�/p>2023�?8�?4�?nbsp;更新

同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地、�/p>2023�?6�?5�?nbsp;更新

碳化硅，不香了吗＞�/p>2023�?3�?1�?nbsp;更新

近日，中国电�?6所成功制备出我国首�?英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平、�/p>2023�?2�?8�?nbsp;更新

氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来�?0年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争、�/p>2022�?2�?9�?nbsp;更新

Ga2O3有望替代SiC和GaN成为新一代半导体材料的代表，目前，各国的半导体企业都争先恐后布局�

近日，浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底、�/p>2021�?9�?2�?nbsp;更新