韩国地质资源研究院近期开发了一项新技术，可从含硅废弃物中制造石墨烯-硅复合体，用于第二代锂电池的阴极材料，这项技术可变废为宝，将第二代锂电池阴极材料制造成本显着降低、�/p>2017�?2�?1�?nbsp;更新

美国劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程�?4nm（纳米）缩减到了1nm�?nm工艺制程的芯片将会有巨大的潜力，未来的手机或许可以待机更长时间，同时性能远远超过现在。虽然这个项目非常有意义，但对于商业上得以实现还需要时间、�/p>2016�?0�?9�?nbsp;更新

日前，由中国有色金属工业协会、中国机电产品进出口商会主办，中国有色金属工业协会硅业分会、陕西省工业和信息化厅、陕西有色金属控股集团有限责任公司、北京安泰科信息开发有限公司承办的2016年中国国际硅业大会暨光伏产业博览会在西安隆重召开。此次会议的主题为“主动适应新常态，积极引领新发�?-探寻‘十三五’期间硅产业发展之路”、�/p>2016�?0�?8�?nbsp;更新

浙江大学材料学院赵新兵教授、朱铁军教授及其研究团队在Si基热电材料纳米化及声子输运机制方面进行了系统的理论和实验研究，取得重要进展。他们利用机械合金化和放电等离子烧结（SPS）技术成功制备了晶粒优化的重掺杂N型硅材料，发现电声散射大幅降低材料的晶格热导率，从而实现了热电优值的大幅提升�?#160;

硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。针对这一关键科学技术问题，中科院苏州纳米所采用AlN/AlGaN缓冲层结构，在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器、�/p>2016�?8�?8�?nbsp;更新

中科大郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学戴道锌教授合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片，实现了单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换，为实现集成量子光学芯片中高维量子信息过程奠定了重要基础、�/p>2016�?7�?5�?nbsp;更新