美国密歇根理工大学研究人员通过将石墨烯和氮化硼纳米管结合，成功开发出全新的混合数字开关。此数字开关可作为电子产品中控制电流的基本元件，未来有望借此制成不含硅半导体的晶体管，让计算机、手机、医学设备和其他电子产品的速度更快、体积更小、�/p>2015�?8�?7�?nbsp;更新

中国粉体网讯 中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员，通过引入气态催化剂的方法，在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长�?�?1日，相关研究论文发表于《自然—通讯》� 　　该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作为催化剂，通过化学气相外延的方法，制备晶畴尺寸超过20微米的石墨烯单晶，生长速率较之前的文献报道提高了两个数量级，超�?0%的石墨烯单晶与氮化硼衬底严格取向，呈现由莫瑞条纹引起的二维超晶格结构，制备的石墨烯的典型室温霍尔迁移率超�?万平方厘

中国粉体网讯 中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯研究再获重要突破。信息功能材料国家重点实验室，超导实验室石墨烯课题组的唐述杰等人，在国际上首次通过引入气态催化剂的方法成功实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长，研究论文Silane-Catalyzed Fast Growth of Large Single-Crystalline Graphene on Hexagonal Boron Nitride �?�?1日在Nature Communications 上发表（6:6499 doi: 10.1038/ncomms 7499 (201

中国粉体网讯 韩国LED厂商为了和中国业者竞争，首尔半导�?Seoul Semiconductor)和LG Innotek积极研发”氮化镓�?gallium nitride、GaN)衬底，封测厂也有意用硅取代环氧树�?Epoxy)，强化产品效能、延长使用寿命� 　　 　　韩媒17日报导，目前LED照明以蓝宝石(Sapphire)衬底和碳化硅(SiC)衬底为主，韩厂研究”氮化镓对氮化镓”基�?GaN-on-GaN)，称可以解决差排(dislocation)问题。首尔半导体10多年前投入研发，取得相关专利，先前推出过”nPola”产品，亮度比现行LED

中国粉体�?�?6日讯 随着人们生活需求的日益增长，各类电子产品的性能及功能得到了极大提高。同时，传统电子材料的物理限制也因此逐渐显现，人们愈加迫切地需要具备更加强大性能的新一代电子原材料作为电子工业继续腾飞的基石� 英国曼彻斯特大学的研究人员在《自然·纳米技术》发表论文称，他们利用二维材料（即只有一个或几个原子层厚的薄膜材料）层叠成一种新材料，该材料展现出优异的能力，在未来或成为制造新一代晶体管的材料首选� 六方氮化硼又被成为白色石墨烯，在2004年曼彻斯特大学的一项研究中被人们发现，现已成为二维材料家族中的一员。当时，曻�/p>2014�?9�?6�?nbsp;更新

中国粉体�?�?7日讯 高质量二维原子晶体的可控制备是基础研究和应用开发的前提，目前是迫切需要优先研究的重大基础科学问题之一。可控制备的最终目的是获得大面积、单层和单晶结构的二维原子晶体。　 　　在中国科学院、科技部和国家自然科学基金委的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室的相关科研人员最近在石墨烯、氮化硼的可控制备和性能研究方面取得重要进展，有关结果均发表在Adv. Mater.上。　 　　介电层上直接生长单晶石墨烯。化学气相沉积法（CVD）因兼有高质量和宏量的优点已成为石墨烯制备的最重要的方法之一。但利用这种方法制备的石�?/p>2014�?3�?7�?nbsp;更新

中国粉体�?�?9日讯 北京中材人工晶体研究院有限公司承担的北京市重大科技成果转化落地项目“风电轴承用氮化硅陶瓷轴承球的研制与产业开发”日前顺利完成验收� 课题实施三年来，取得了重要成效：一是突破氮化硅粉体纳米改性、“自包套”热等静压烧结、低应力柔性精密加工以及大尺寸氮化硅陶瓷轴承球无损检测控制等关键技术，克服了传统成型后“玻璃包套”法HIP烧结成本高的弊端；二是打破国内大尺寸氮化硅陶瓷轴承球加工精度、一致性差，长期依靠国外企业加工的现状，并�?40mm 以上规格陶瓷球加工精度提高到G28级，远高于国内G60级加工水平，达到国际先进水平：�/p>2014�?2�?9�?nbsp;更新