27�?第三代半导体及智能制造国际研讨会在如皋举行。会�?中乌第三代半导体产业技术研究院宣布成立并落户如皋、�/p>2019�?0�?8�?nbsp;更新

氮化铝具有高热导率、高温绝缘性和优良的介电性能、良好的耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点，因此成为优良的电子封装散热材料，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料、�/p>2019�?0�?4�?nbsp;更新

脆性这一致命弱点，使氮化硅陶瓷在应用中的可靠性得不到保障。因此改善其韧性，提高其可靠性一直是氮化硅陶瓷研究的一个重要方向、�/p>2019�?9�?0�?nbsp;更新

氮化�?AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，具有热导率高、高温绝缘性和介电性能好、高温下材料强度大、热膨胀系数低并且与半导体硅材料相匹配、无毒等优点，具有良好的热学、电学和机械性能，是理想的电子封装散热材料、�/p>2019�?8�?6�?nbsp;更新

沈阳材料科学国家研究中心材料结构与缺陷研究部陈春林研究员、马秀良研究员、叶恒强院士与东京大学Yuichi Ikuhara教授、NIMS谷口尚教授等人合作，利用像差校正电子显微术在原子尺度上研究了纤锌矿型氮化硼中的缺陷结构及其对材料相变的影响，发现材料中的三维缺陷网络可显著提高该亚稳超硬材料的稳定性，突破了人们对材料缺陷与相变关系的传统认识。相关成果于5�?7日在《美国国家科学院院刊》（PNAS）上在线发表、�/p>2019�?5�?2�?nbsp;更新

一张图了解六方氮化硻�/p>2019�?5�?1�?nbsp;更新