特别是由于Si3N4粉体较大的表面能,极易发生团聚。如何提高Si3N4粉体分散性就成为制备Si3N4粉体之后必须要面对的问题、/p>2020?3?3?nbsp;更新
氮化?GaN)被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似纤锌矿、硬度很高等特点,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面有着广阔的应用前景、/p>2020?3?4?nbsp;更新
据BusinessKorea报道,韩国科技研究院KIST??日宣布研究院的一个团队成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料。据悉,这是韩国在努力减少在材料与零部件领域对日本的依赖之际实现的技术突破、/p>2020?3?1?nbsp;更新
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体与专业半导体代工企业台积电携手合作,加快氮化镓(GaN)工艺技术的开发以及GaN分立和集成器件的供货。通过此次合作,意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺、/p>2020?2?6?nbsp;更新
2?1日下午,无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目,吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目正式签约、/p>2020?2?4?nbsp;更新