全套国产芯片氮化镓快充问世,明年或掀普及热潮、/p>2020?2?4?nbsp;更新
硅基器件的性能已经接近极限,边际成本越来越高,而半导体器件产业仍对高功率、高频切换、高温操作、高功率密度等有着越来越多的需求,因此以SiC(碳化?、GaN(氮化?等第三代半导体材料为核心的宽禁带功率器件成为了研究热点与新发展方向,并逐步进入应用量产阶段、/p>2020?1?5?nbsp;更新
日前,据日本媒体报道,日本经济产业省(METI)计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出,METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业,预计未来5年的资助鬼母将超?560万美元
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