近几年氮化铝陶瓷基板市场发展迅速，国内有哪些企业生产？

近年来，随着大规模集成电路及电子设备向高速化、多功能、小型化、低功耗方向发展，相关应用对高性能、高密度电路的需求日益增加。其中，芯片制造业对芯片的封装测试也提出了要求，需要寻找更优异的材料用于封装制备、�/p>2021�?1�?0�?nbsp;更新

近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离�

随着电子技术的迅猛发展，集成电路的散热性问题逐渐得到重视。高纯AlN单晶的热导率最高可达到319W/(m·K)。其具有高热导率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点。因此成为优良的电子封装散热材料，能高效地散除大型集成电路的热量，是组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料�

为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将�?021�?�?日举办首届�?021氮化铝陶瓷粉体及基板技术网络研讨会”。为企业管理、技术人员提供一个深度交流、深入思考、磨炼内功、强化自身的平台、�/p>2021�?1�?6�?nbsp;更新

氮化铝陶瓷的成型技�?/p>2021�?1�?5�?nbsp;更新

随着半导体行业的发展，AlN作为半导体材料中的主要代表，其所展现出的优异的性能使得其受到极大的重视。由于AlN在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能，AlN薄膜也因此备受现代科研工作者的青睐�