硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。针对这一关键科学技术问题，中科院苏州纳米所采用AlN/AlGaN缓冲层结构，在硅衬底上成功生长了厚度达到6 μm左右的InGaN基激光器结构，实现了世界上首个室温连续电注入条件下激射的硅衬底InGaN基激光器、�/p>2016�?8�?8�?nbsp;更新

中科大郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室任希锋研究组与浙江大学戴道锌教授合作，首次研制成功硅基导膜量子集成芯片，实现了单光子态和量子纠缠态在偏振、路径、波导模式等不同自由度之间的相干转换，为实现集成量子光学芯片中高维量子信息过程奠定了重要基础、�/p>2016�?7�?5�?nbsp;更新

“控制总量优化布局、加强创新提高产品精细化率、培育发展企业知名品牌以及构筑循环经济推进责任关怀，是“十三五”期间行业要完成的四大任务。未�?年我们行业的发展目标是硅酸钠产量400万吨、白炭黑产量180万吨、分子筛140万吨、硅�?0万吨、硅溶胶60万吨、偏硅酸�?0万吨、�/p>2016�?6�?7�?nbsp;更新

安普瑞斯(Amprius)公司完成了硅纳米线负极生产线的制备并投入中试生产。这是世界上第一条，也是唯一的一条双面连贯印刷式，高精度�?维纳米线生产线。这条生产线的建成初步实现了高容量硅纳米线负极的规模生产、�/p>2016�?5�?6�?nbsp;更新

韩国材料研究所韩承殿（音译）博士团队，江原大学的林成焕（音译）教授，延世大学的韩炳灿（音译）教授团队开发了一项新技术。利用金属间化合物的高耐腐蚀性，将金属基体用酸溶解，通过这种方法可以成功生产单晶镍硅化物、�/p>2016�?1�?7�?nbsp;更新

中国科学技术大学钱逸泰课题组发展了一种在200℃熔盐体系中，采用金属Al或Mg还原二氧化硅或硅酸盐制备纳米硅材料的方法。将该材料应用于锂离子电池负极材料，展示出优异的电化学性能、�/p>2015�?1�?3�?nbsp;更新