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116亿!国内新增氮化镓IDM项目
3092 2022-12-17

中国粉体罐/strong> 12?1日,西咸新区泾河新城官微发布消息称,他们已经与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订了战略合作框架协议。此次签约意味着总投赃strong>116亿元的西守strong>第三代化合物半导体芯片与器件产业化项?/strong>正式落户泾河新城、/p>



报道称,该项目将建立第三代化合物半导体研发中心,开屔strong>氮化镓基半导佒/strong>核心技术攻关、新品研发等工作。项目达产后,可实现年产?00亿元,实现年上缴税收?5亿元、/p>


据了解,该项目建设单位是江西誉鸿锦材料科技有限公司,成立于2021?月,专注于GaN电子器件研发,并掌握了氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术、/p>


值得注意的是,誉鸿锦材料的子公司江西誉鸿锦芯片主要从事高品质GaN电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件、模组的研发和生产制造、/p>


此前,他们设计紫外LED和GaN蓝绿激光器的研发和生产。同时,他们还具备功率器件的生产能力,拥月strong>4/6/8寸氮化镓外延生产纾/strong>和一条SBD/HEMT芯片中试生产线,一条封装测试线,具备每月产?万片,对应约1.5亿颗芯片、/p>



根据江西誉鸿锦芯片的公开资料,他们未来五年将致力于实现氮化镓电子器件和高端光电器件等领域?quot;中国智?quot;,并规划总投资约50亿元建设氮化镓项?/strong>9/p>


一期:投资?亿元 ,其中生产设备投?.7亿元 ,建设包?台MOCVD的氮化镓外延生产线(投资?亿元 ),一条芯片中试生产线(投资约1.3亿元 )以及一条封装测试线(投资约7000万元 ),一期将可形成月产能1500片,对应?500万颗芯片、/p>

二期:投资金额约9亿元 ,投资新?0台MOCVD的氮化镓外延片生产线,建一条芯片量产线和再增加10台MOCVD的氮化镓外延片生产线,可形成月产?000片,对应?000万颗芯片、/p>

三期:投资金额约38亿元 ,其中增加两条氮化镓芯片生产线,月产?0000片,对应?亿颗芯片,项目完成后将可实现年主营业务收入达100亿左右、/p>


(中国粉体网编辑整理/空青(/p>

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