中国粉体网讯近日，第十六届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨苏州第三代半导体产业融合创新发展高峰论坛在苏州工业园区盛大开幕、�/p>

大会由中国半导体行业协会主办，中国半导体行业协会半导体分立器件分会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、苏州纳米科技发展有限公司、专用集成电路重点实验室、元器件封装技术创新中心、河北省新型半导体材料重点实验室、河北普兴电子科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所共同承办。经前期调研论证，苏州工业园、无锡（国家）集成电路设计中心等十家产业园区入围了�?022年第三代半导体最具竞争力产业园区”、�/p>

第三代半导体材料是指氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等带隙宽度明显大于硅（Si�?.1~1.3 V）和砷化镓（GaAs�?.4 V）的宽禁带半导体材料，具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的关键核心器件、�/p>

第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点，也是国外对中国技术封锁的重点领域。当前国际第三代半导体材料、器件实现了从研发到规模性量产的成功跨越，已进入产业化快速发展阶段，在新能源汽车、高速列车�?G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点应用领域实现了突破，未� 5 年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。中国在市场和应用领域有战略优势，正在形成完善的产业链条，国际巨头还未形成专利、标准和规模的完全垄断，有机会实现核心技术突破和产业战略引领，重塑全球半导体产业格局、�/p>

参考来源：

[1] 入围！无锡（国家）集成电路设计中心再获殊�?蠡园之声

[2] 吴玲�?第三代半导体产业发展与趋势展朚�/p>