中国粉体网讯近日,工信部网站发布公告称,为推动建材行业高端化、绿色化、智能化发展,拟制定《建材工业鼓励推广应用的技术和产品目录?022年本)》。该目录中,6英寸碳化硅衬底赫然在列、br/>
据该目录介绍?英寸碳化硅衬底产品具备耐高温、耐高压、高功率、高频、低能耗等优良电气特性,采用碳化硅衬底可突破传统材料的物理限制,主要用途是制作高频、大功率微波器件。可用于国家电网、轨道交通、风力发电、混合动力汽车、新能源汽车等领域高频、大功率器件制造、br/>
获得鼓励推广应用?英寸碳化硅衬底相关产品的主要技术经济指标如下:
1.SiC单晶材料9/strong>
?)直径精?50mm±0.2mm:br/>
?)衬底微管密 ?.5 ?cm2:br/>
?)半绝缘衬底电阻率≥1×109Ω·cm:br/>
?)总厚度变化(TTV)≤15μm:br/>
?)衬底翘曲度 (Warp)?5μm:br/>
?)衬底弯曲度(|bow|)≤25μm:br/>
?)衬底表面粗糙度?.2nm(测量面积:10μm×10μm)、br/>
2.高纯半绝缘碳化硅单晶衬底9/strong>
?)尺寸:4-6英寸:br/>
?)电阻率?×1010Ω·cm:br/>
?)微管密度:??cm2、br/>
3.N型低阻碳化硅单晶衬底9/strong>
?)尺寸:6英寸:br/>
?)TSD:?00/cm2:br/>
?)BPD:?000/cm2、br/>
碳相关材料是外国对中国禁运的最重要材料,包括具有重要战略价值的半导体碳化硅衬底等,国外对华禁运关键半导体材料和器件,使我国发展受制于人,在涉及国家信息安全的关键领域,需要完全拥有自主知识产权的国产技术和产品来支撑和保障,否则国家安全将受到威胁、br/>
与国外相比,国内的SiC起步相对较晚,目前与美国、日本这些公司存在一定的差距,导致在整个国际市场上,国内产品在全球市场的占比较小,产品的竞争力相对比较弱、br/>
在SiC衬底方面,国外主流产品已经从4寸向6寸的转化,并且已经成功研?英寸SiC衬底片;目前国外6英寸SiC衬底片的微管密度已经达到0.1?cm2,位错密度达?00?cm2,Cree、II-VI研发?英寸SiC衬底片位错密度达?00?cm2,根据国外专家的推测,未来国际市场将会以6英寸SiC衬底片为主,并且将会在市场占据时间比4英寸的长很多;而国内SiC衬底片市场现在以4英寸为主,其微管密度己经达到1?cm2以下,位错密度达?000?cm2?英寸目前产品的成品率相对较低、br/>
山东天岳碳化硅衬应br/>
目前国内SiC功率器件制造商所采用的衬底片大多数都采用进口片,主要是因为国内的SiC衬底片在其缺陷控制上与国外水平还存在相当大的差距。为此,为了彻底摆脱国内SiC产业受制于人的现状,国内6英寸SiC衬底片的发展将会出现的一个崭新的局面,而SiC衬底片制约下游功率器件的发展,为了加快国内SiC产业的发展,高品?英寸N型SiC衬底片产业化势在必行、br/>
参考来源:
工信部网竘br/>
西安电子科技大学窦文涛:6英寸N?H-SiC单晶衬底材料研究
(中国粉体网编辑整理/平安(br/>
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