中国粉体网讯9?日,南京江北新区举办以“投资江北共赢未来”为主题的金秋重点产业项目签约会?2个产业项目在会上集中签约,投资总额?55亿元,其中包括总投?5亿元皃strong>第三代半导体碳化硅衬底关键技术研发及产业化项?/strong>,该项目主体为江苏超芯星半导体有限公司(以下简称“超芯星”)、/p>
半导体行业普遍认为,最有希望弯道超车的领域就是技术差距较小的第三代半导体。碳化硅正是第三代半导体的核心材料,相比于传统的硅基材料,碳化硅更适应高温、高压、高频率和大功率。以电动汽车为例,采用碳化硅芯片,将使电驱装置的体积缩小为五分之一,电动汽车行驶损耗降?0%以上,相同电池容量下里程数显著提高。有行业调研机构预估?025年碳化硅仅在电动车应用的市场规模即可?.5亿美元,未来5年年增长率将?5%至30%、/p>
碳化硅半导体产业链可分为三个环节:分别是上游衬底,中游外延片和下游器件制造。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,长晶难度大,技术壁垒高、/p>
资料显示,超芯星成立?019年,由海归博士创立,是国内领先的第三代半导体企业,致力于6-8英寸碳化硅衬底的研发与产业化,拥?0多年碳化硅技术积累和产业化经验。公司通过引进技术人才和专家,融合美、欧、日等国家先进技术,不断迭代升级和自我超越,完成装备、长晶、加工、检测等多项核心领域整合,实现我?英寸碳化硅衬底在国际上的新突破。今??6日,超芯星宣布其?英寸碳化硅衬底进入美国一流器件厂商”,同时“计划将6-8英寸碳化硅衬底的年产量提升至150万片”、/p>
信息来源:芯智讯、超芯星半导体官网、新华日?/p>