中国粉体网讯7�?日，据国家知识产权局显示，浙江美晶新材料股份有限公司申请公布了一系列关于石英坩埚的专利：“一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方法”“一种单晶硅用石英坩埚及其制备方法及半导体级单晶硅生长方法”“一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法”“一种石英坩埚及其制备方法与应用”等、�/span>

一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方泔�/strong>

该发明提供一种半导体级合成石英坩埚及其制备方法和半导体级单晶硅生长方法，该制备方法包括石英砂成型工艺；石英砂成型工艺包括依次加入外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂；外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入过程中，分别独立地进行抽真空处理；抽真空处理的真空频率，随着外层石英砂、中层石英砂和内层石英砂的加入逐渐增大。该制备方法可以提高石英砂的堆积密度＋�span style="text-decoration: underline;">防止石英砂在抽真空起弧时出现塌陷现象，导致出现气泡不�?/span>，同时抑制了起弧瞬间的热冲击导致的内层石英砂移动以及端口石英砂熔化时团聚移动的现象，提高了石英坩埚以及单晶硅产品的品质、�/p>

一种单晶硅用石英坩埚及其制备方法及半导体级单晶硅生长方泔�/strong>

该发明提供一种单晶硅用石英坩埚及其制备方法及半导体级单晶硅生长方法，该制备方法包括：对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制、退火和冷却；退火处理包括：所述气泡层熔制后的降温过程中，监测石英坩埚内表面的温度，至石英坩埚R角内表面温度降温至应力突变温度区间，进行抽真空处理，保持真空状态至所述石英坩埚内表面各区域温度均匀。该制备方法可以降低或消除石英坩埚内部应劚�/span>，提高石英坩埚的使用寿命，同时提高了石英坩埚的生产效率、�/p>

一种半导体级合成石英坩埚及其制备方泔�/strong>

该发明提供一种半导体级合成石英坩埚的制备方法，该制备方法包括：对石英砂成型后的石英坩埚依次进行排气处理、封皮处理、透明层熔制、气泡层熔制和冷却；封皮处理、透明层熔制和气泡层熔制过程中，水冷板与模具口的距离为50~80mm。该制备方法有效减少外界杂质的进入，降低外界对坩埚内部熔融环境的影响＋�span style="text-decoration: underline;">改善了合成石英坩埚R角内表面纯度高的问题、�/p>

一种石英坩埚及其制备方法与应用

该发明公开了一种石英坩埚及其制备方法与应用，属于石英坩埚制造技术领域。该石英坩埚的气泡层包括直壁段和弧形段，直壁殴�/strong>包括由外至内设依次设置的石英砂掺铝层及第一石英砂气泡层＋�strong>弧形殴�/strong>为第二石英砂气泡层；石英砂掺铝层中掺铝石英砂的铝碱比�?~50；掺钡层中含钡溶液的浓度�?.5%~2%。通过在气泡层的直壁段设置特定铝碱比的石英砂掺铝层＋�span style="text-decoration: underline;">有利于提高直壁段的强度和粘度，减少高温软化现象，避免石英坩埚出现鼓包和褶皱等问题，延长石英坩埚的使用寿命；通过控制含钡溶液中溶质的浓度，也有利亍�span style="text-decoration: underline;">提高晶棒成晶玆�/span>。该石英坩埚的制备方法简单，操作容易，适于工业化生产。将该石英坩埚用于制备单晶硅，有利于提高单晶硅的成晶率、�/p>

图源：美晶新杏�/p>

据中国粉体网编辑了解，浙江美晶新材料股份有限公司（简称“美晶新材”）为晶盛机电的控股子公司，创建�?017年，总部设立在浙江绍兴，在浙江、内蒙和宁夏建立生产基地，经营范围包括石英坩埚产品的开发、制造和销售；石英设备、石英晶体制品的加工、销售；进出口业务、�/p>

参考来源：国家知识产权局，美晶新材官网，中国粉体罐�/p>

（中国粉体网编辑整理/九思）

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