有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力、�/p>

请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求、�/p>

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化合物半导体

刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓

深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镒�/p>

刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化�?砷化铝镓

刻蚀GaSb—刻蚀锑化镒�/p>

刻蚀GaN—刻蚀氮化镒�/p>

刻蚀InSb—刻蚀锑化铞�/p>

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化�?铟镓砷磷

刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷

刻蚀InP—刻蚀磷化铞�/p>

刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化�?铟镓砷磷

刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锋�/p>

电介�?/strong>

刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽

刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝矲�/p>

GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技�?/p>

感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铊�/p>

反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化�?/p>

干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锁�/p>

干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锁�/p>

刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅

刻蚀PbSe—刻蚀硒化铄�/p>

刻蚀SiC—刻蚀碳化硄�/p>

金属

刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铜�/p>

溅射刻蚀Au—溅射刻蚀釐�/p>

刻蚀Cr—刻蚀�?/p>

Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铛�/p>

刻蚀Mo—刻蚀钻�/p>

刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）—刻蚀铋�/p>

刻蚀Ni—刻蚀镌�/p>

离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金

溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铁�/p>

刻蚀Ti—超大刻蚀深度

刻蚀Ta—刻蚀钼�/p>

刻蚀W—刻蚀�?/p>

TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钚�/p>

WSi刻蚀—硅化钨刻蚀

有机�?/strong>

刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯

感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁�?/p>

刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀

刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀

聚二甲基硅氧�?PDMS)刻蚀

刻蚀PR—刻蚀光刻胵�/p>

硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）—硅烷化光刻胵�/p>

硄�/strong>

博施刻蚀Si—博施刻蚀硄�/p>

低温刻蚀Si—低温刻蚀硄�/p>

混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硄�/p>

HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硄�/p>

各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀

刻蚀SiGe——刻蚀锗硅

绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀