PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）� 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性、�/span>

• 光滑侧壁工艺

• 高刻蚀速率腔刻蚀

• 高深宽比工艺

• 锥形通孔刻蚀

• 广泛的应用领埞�/span>

• 机械或静电压盗�/span>

• 加热内衬

• 改善重复�?/span>

• 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC（�/span>

PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS，先进封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现、�/span>

• 硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现

• 兼容50mm�?00mm的衬�?nbsp;- 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力

• 自动匹配 - 拥有工艺灵活�?/span>

• 更高流量的质量流量计以及等离子发生器 - 自由基密度更髗�/span>

• 减小的腔体尺寸和高效率的�?nbsp;- 确保气体高速流這�/span>

• 快速近距离耦合质量流量�?nbsp;- 快速控制（初始为ALD而开发）