晶硅太阳能电池表面钝化用高产出原子层沉积系统

ALD for surface passivation of c-Si solar cells

应用９�/p>

1.CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积

2.晶硅太阳能电池表面钝化层沉积

3.大规模生产的应用

4.工业全自动生产设夆�/span>

5.高产量：高达4500晶片/小时(156 X 156 m�?

特征９�/p>

1.良好的厚度＆均匀性好皃�span>Al2O3薄膜

2.用于短气体循环时间的先进工艺套件和小体积

3.具体化的ALD机械装置

4.全集成工艺模坖�/span>

5.操作过程简協�/span>

6.自动式操佛�/span>

技术规格：

Model	Material	Wafer Size(mm2)	Thickness (nm)	Throughput(wph)
LucidaTMGS200	Al2O3	156x156	4	�?/span>550
LucidaTMGS800	Al2O3	156x156	4	�?/span>2300
LucidaTMGS1200	Al2O3	156x156	4	�?/span>3400
LucidaTMGS1600	Al2O3	156x156	4	�?/span>4500
LucidaTMGS6000	Al2O3	156x156	4	�?/span>6000