www.188betkr.com 讯近日，国家知识产权局信息显示，山东大学取得一项名为“一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法”的专利，能够有效延长抛光液的有效时长。
作为第三代半导体材料，单晶氮化镓（GaN）凭借高热传导率、低能耗、高电子迁移率等特点具有广阔的发展前景，适用于高温、大功率等极端环境场合。平坦且无损的晶片表面是GaN作为半导体元器件衬底材料的必要条件。由于GaN具有机械硬度高、化学惰性强等特点，对其进行高效超精密加工的难度较大。化学机械抛光（Chemical mechanical polishing, CMP）是目前实现全区域平坦化的加工方法之一。
除了使用传统的具有氧化特性的化学试剂来增强CMP抛光液的氧化性之外，人们不断致力于采用其他的一些新颖的方法增强抛光液氧化活性，从而来实现超硬材料或惰性材料的表面平坦化加工，如芬顿反应。
山东大学本次发明属于化学机械抛光技术领域，涉及一种基于芬顿反应的碱性氮化镓抛光液及其制备方法。发明提供的碱性氮化镓抛光液其组成包括过氧化氢、二氧化硅磨料、碳酸氢钠、铁盐、分散剂、稳定剂、络合剂和去离子水。本发明通过铁系离子络合物催化过氧化氢可以将芬顿反应的适用范围拓宽到碱性条件，使用稳定剂可以促进三价铁离子向亚铁离子的转化，增强亚铁离子的催化作用，延长抛光液的有效时长。该发明提供的抛光液对环境友好，不腐蚀加工设备，成本低，性质稳定，无需外加辅助设备操作更方便，可长时间稳定存储。
来源：国家知识产权局
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参考来源：
[1] 郑世坤，电化学芬顿反应辅助氮化镓化学机械抛光
[2] 山东大学官网、国家知识产权局、半导体材料与工艺
（www.188betkr.com 编辑整理/山林）
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