近日，中山大学发布多批政府采购意向，预算高达0.96亿元，其中囊括化学机械抛光相关设备，预计采购时间为2024年12月~2025年1月。
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术被誉为是当今时代能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术，化学机械抛光的效果直接影响到芯片最终的质量和成品率。
CMP工艺 来源：何潮等，半导体材料CMP过程中磨料的研究进展
CMP工艺平坦化原理是，利用机械力作用于圆片表面，同时由研磨液中的化学物质与圆片表面材料发生化学反应来增加其研磨速率。CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
在CMP工艺中，首先让研磨液填充在研磨垫的空隙中，圆片在研磨头带动下高速旋转，与研磨垫和研磨液中的研磨颗粒发生作用，同时需要控制研磨头下压力等其他参数。CMP 设备主要分为两部分，即抛光部分和清洗部分，抛光部分由4部分组成，即3个抛光转盘和一个圆片装卸载模块。清洗部分负责圆片的清洗和甩干，实现圆片的“干进干出”。
CMP是一种集机械学、流体力学、材料化学、精细加工、控制软件等多领城最先进技术于一体的设备，是各种集成电路生产设备中较为复杂和研制难度较大的设备之一。随着圆片直径的增大和工艺复杂性的不断提高，CMP的设备价格也在逐渐增长。一般来说，用于200 mm圆片的CMP设备价格约为300 万美元，用于300 mm圆片的CMP设备价格约为400 万美元。
来源：华海清科官网
近日，中山大学发布38项仪器设备采购意向，预算总额达0.96亿元，涉及微区原位场发射测量系统、电子束光刻机、等离子体深硅刻蚀系统（ICP）、手动式曝光机、共溅射磁控溅射系统、光芯片自动耦合升级的扫谱系统等，预计采购时间为2024年12月~2025年1月。其中，电子与信息工程学院进行化学机械抛光的采购，旨在采购混合集成芯片先导线的既有化学机械抛光系统，用于混合集成工艺中的研磨和抛光工艺，解决混合集成工艺中因局部高低不平而导致的加工精度问题，实现基片表面平坦化，也可以用于铜金属以及低介电常数材料的多层布线平坦化制备工艺。
来源：仪器信息网
参考来源：
[1] 燕禾等，化学机械抛光技术研究现状及发展趋势
[2] 何潮等，半导体材料CMP过程中磨料的研究进展
[3] 李丹，化学机械抛光（CMP）技术、设备及投资概况
[4] 华海清科官网、仪器信息网
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