www.188betkr.com 讯近日，有投资者向中瓷电子提问，氮化铝基板和薄膜能否用在手机外壳的制造上？和昆仑玻璃外壳相比是否成本很高？公司是否在这方面做了预研工作？
氮化铝薄膜基板和薄厚膜复合基板已实现批量供货
中瓷电子表示，公司消费电子陶瓷外壳及基板系列产品主要包括声表晶振类外壳、3D光传感器模块外壳、氮化铝陶瓷基板等。
中瓷电子氮化铝基板产品
其中，氮化铝陶瓷基板具有热导率高、热膨胀系数低、介电常数低、介质损耗低、机械强度高、无毒等特点。公司该类产品主要包括氮化铝陶瓷薄膜金属化基板、氮化铝陶瓷厚膜金属化基板、氮化铝薄厚膜复合基板、氮化铝覆铜板（AMB）、氮化铝多层陶瓷基板等，应用于光通信、IGBT、高功率LED等领域。其中，氮化铝薄膜基板和薄厚膜复合基板应用于光模块，已实现批量供货。
电子陶瓷领域技术实力够硬
中瓷电子主营第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件三大业务。在电子陶瓷材料及元件方面，其技术优势主要体现在电子陶瓷新材料、半导体外壳仿真设计、生产工艺等方面。
在材料方面，公司掌握多种陶瓷体系的知识产权，包括系列化氧化铝陶瓷和系列化氮化铝陶瓷以及与其相匹配的金属化体系。
在工艺技术方面，公司具有全套的多层陶瓷外壳制造技术，包括原材料制备、流延、冲孔冲腔、金属化印刷、层压、热切、烧结、镀镍、钎焊、镀金等技术。公司建立了完善的氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷加工工艺平台，建立了以流延成型为主的氧化铝多层陶瓷工艺，以厚膜印刷为主的高温厚膜金属化工艺，以高温焊料为主的钎焊组装工艺，以电镀、化学镀为主的镀镍、镀金工艺，建立了完善的精密陶瓷零部件制造工艺平台。
已掌握多种基板制备及金属化技术
随着信息技术革命的到来，集成电路产业飞速发展，电子系统集成度的提高将导致功率密度升高，以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加，因此，有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。氮化铝陶瓷具有优异的电性能和热性能，被认为是重要的散热基板材料，但是氮化铝陶瓷基板本身并不具备导电性，因此在用作大功率散热基板之前必须对其表面进行金属化。氮化铝陶瓷表面的金属化方法有：薄膜法、厚膜法、高熔点金属化法、化学镀法、直接覆铜法(DBC)等。
中瓷电子薄膜基板
薄膜法是采取离子镀、真空蒸镀、溅射镀膜等方法在氮化铝陶瓷基板上制备金属薄膜。理论上任何金属薄膜都可以通过气相沉积技术镀在任何基板材料上，但是为了获得粘结强度更好的基板/金属膜层系统，一般要求两者的热膨胀系数应尽量匹配。通常在多层结构基板中，基板内部金属和表层金属不尽相同，陶瓷基板相接触的薄膜金属应该具有反应性好、与基板结合力强的特性，表面金属层多选择电导率高、不易氧化的金属。
厚膜法是指通过丝网印刷的方式直接在氮化铝陶瓷基体表面涂上一层导电浆料，然后经过干燥、高温烧结使金属涂层附着在陶瓷基体表面的工艺。导电浆料一般由导电金属粉末、玻璃粘结剂和有机载体组成。导电金属粉末决定了浆料成膜后的电学性能和机械性能，目前常用的金属粉末有银、铜、镍和铝等，其中，银和铜电阻低，成本低，较为适合工业化生产。因此，该工艺性能可靠，具有生产效率高、成本低、设计灵活等优点。
中瓷电子厚膜基板
公开资料显示，中瓷电子在氮化铝陶瓷基板方面已掌握了从裸基板到薄膜金属化基板、厚膜金属化基板、薄厚膜复合基板、AMB基板、DBC基板等完整的陶瓷基板生产工艺。
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