又一国内企业实现8英寸SiC关键技术突破


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[导读]4月9日,世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破!

www.188betkr.com 讯4月9日,世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破!




世纪金芯在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2024年2月,世纪金芯半导体8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段,在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。


工艺技术方面,世纪金芯半导体采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构,开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术,逐步减少生长温度、时间、气压、功率等参数变化量,获得可重复性稳定参数,大幅提升了长晶的稳定性、重现性。突破了大尺寸、低应力等碳化硅晶体制备关键技术。


产品方面,世纪金芯半导体开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8英寸加工线也同步建成,将配套8英寸单晶生长。通过进一步优化工艺,预期公司的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。



近年来,世纪金芯不断加大碳化硅研发力度与项目布局,逐步巩固研发生产优势。公司产品覆盖6英寸、8英寸的SiC衬底片以及其他第三代半导体材料的布局研究。


项目方面,2023年年底,世纪金芯全资子公司宇海电子“年产能70万片6-8英寸SiC单晶衬底项目”已经在包头发改委完成备案审批。此外,2022年9月,世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目在合肥正式投产。


合作方面,世纪金芯已获得十几家客户青睐,2023年12月,世纪金芯与湖南S公司已正式签订SiC衬底的战略合作协议,双方围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作。另外,6英寸方面,世纪金芯6英寸碳化硅衬底片已与国内几家头部外延及晶圆厂商达成订单合作;8英寸方面,世纪金芯与中国台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX等公司进行产品验证,与日本FG等单位进行8英寸衬底片的产品验证。


来源:世纪金芯官网、行家说三代半


(www.188betkr.com 编辑整理/空青)

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作者:空青

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