www.188betkr.com 讯11月13日，工信部原材料工业司发布《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》（征求意见稿），公开征求社会各界意见，要求11月24日前反馈意见。其中，多项先进陶瓷材料入选。
1、原位自生陶瓷颗粒铝基复合材料
性能要求：
（1）高强度铸造陶铝材料：抗拉强度≥410MPa，弹性模量≥85GPa，延伸率≥2%；
（2）高模量铸造陶铝材料：抗拉强度≥360MPa，弹性模量≥90GPa，延伸率≥0.5%；
（3）高塑性铸造陶铝材料：抗拉强度≥350MPa，弹性模量≥73GPa，延伸率≥14%；
（4）超高强变形陶铝材料：抗拉强度≥805MPa，弹性模量≥76GPa，延伸率≥8%；
（5）高抗疲劳变形陶铝材料：抗拉强度≥610MPa，弹性模量≥83GPa，延伸率≥6%。
2、铝基碳化硅复合材料
性能要求：室温热导率≥200W/(m·K)，抗弯折强度≥500MPa，热膨胀系数（RT～200℃）≤9ppm/℃。
3、纳米陶瓷隔热涂层材料
性能要求：太阳光反射比≥90%，半球发射率≥0.87，涂层厚度0.3～0.45毫米，附着力优于1级，延展率≥30%，弹性良好，BI级防火，防腐性能良好。
4、高性能微晶玻璃
性能要求：（1）零膨胀微晶玻璃：膨胀系数为 0±0.02×10-6/℃，热胀系数均匀性≤±0.01×10-6/℃，5mm 厚样品632.5nm透过率≥85%；
（2）5G 通讯用微晶玻璃：透过率（t=0.68mm，λ=550nm）≥91%，热传导率（25℃）≥1.5W/m.K，维氏硬度 Hv0.2/20-强化≥790×107Pa，化学稳定性（损失量）（5%HCl，95℃，24h）0.1mg/cm2，（5%NaOH，95℃，6h）≤0.2mg/cm2，跌落测试破摔高度：≥2000mm（测试条件：t=0.68mm，测试面：80目砂纸，SiC颗粒；40g负重，测试总重60g）。
5、高纯氧化铝及球形氧化铝粉
性能要求：
（1）高纯氧化铝（4N）：纯度≥99.99%，比表面3～5m2/g，D500.5～20μm；
（2）高纯氧化铝（5N）：纯度≥99.999%，比表面：1.7m2/g，D50：5μm，松装密度：0.27g/cm3，平均孔径：10.5nm；
（3）球形氧化铝粉：Al2O3≥99.7%，SiO2≤0.03%，Fe2O3≤0.03%，Na2O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含湿率≤0.03%，真实密度3.85±0.1g/cm3，球化率＞90%，白度≥90；
（4）高导热氧化铝粉体：产品粒径＞25μm（D50），氧化钠≤0.03%，氧化铁≤0.08%，氧化硅≤0.08%，电导率≤60μs/cm。
6、氮化铝粉体、陶瓷件及基板
性能要求：
（1）高纯氮化铝粉体：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；铁含量<10ppm，硅含量<50ppm，钙含量<200ppm；比表面积≥2.5m2/g。
（2）氮化铝陶瓷件：热导率≥180W/(m·K)；抗弯强度≥350MPa；电阻率≥1014Ω·cm。
（3）高导热氮化铝基板：热导率≥200W/(m·K)，抗弯强度＞300MPa。
7、氮化硅基板
性能要求：热导率≥85W/(m·K)，抗弯强度＞700MPa。
8、氮化硅陶瓷轴承球
性能要求：抗弯强度≥900MPa；断裂韧性：6～7MPa·m1/2；硬度HV10≥1480kg/mm2；压碎载荷比≥40%。
9、氮化硼承烧板
性能要求：氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度1.5～1.6g/cm3。
10、电子级超细高纯球形二氧化硅
性能要求：SiO2＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，电导率≤10μS/cm，烧失量≤0.2%。
11、喷射成型耐高温耐腐蚀陶瓷涂层
性能要求：耐温1200℃，硬度HV1100，结合强度45MPa，耐强酸强碱。
12、陶瓷基复合材料
性能要求：
（1）耐烧蚀C/SiC复合材料：密度为2.5～3.2g/cm3，室温拉伸强度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，1600℃拉伸强度≥100MPa，耐温性能≥1800℃，满足2MW/m2以上热流环境下1000s零烧蚀或微烧蚀的要求；
（2）核电用SiC/SiC复合材料：密度为2.7～2.9g/cm3，室温拉伸强度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，1200℃拉伸强度≥200MPa，导热系数≥20W/(m·K)，热膨胀系数（25℃～1300℃）3～5×10-6/℃；
（3）航空用SiC/SiC复合材料：密度为2.5～2.9g/cm3，室温拉伸强度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，1300℃拉伸强度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，强度保持率≥80%（1300℃、120MPa应力下氧气环境热处理500小时）。
13、高性能陶瓷基板
性能要求：
（1）高光反射率陶瓷基板：可见光反射率≥97%，抗弯强度≥350MPa，热导率≥22W/(m·K)；
（2）氧化铝陶瓷基板：抗弯强度≥700MPa，热导率≥24W/(m·K)，体积电阻率≥1014Ω·cm。
14、高性能水处理用陶瓷平板膜材料
性能要求：有效过滤面积0.5±0.004m2，分离膜平均孔径130～170nm，显气孔率35～40%，纯水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，弯曲强度＞30MPa，酸碱腐蚀后强度＞20MPa。
15、片式电阻器用电阻浆料
性能要求：浆料阻值范围：0.1Ω～10MΩ；浆料细度：≤5μm；电阻温度系数：≤±200ppm/℃（阻值范围0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范围10Ω～10MΩ）。
16、工业蓝宝石机械耐磨部件
性能要求：密度：3.98～4.1g/cm3，熔点：2045℃，莫氏硬度：9，热膨胀系数：5.8×10-6/K，弹性模量：340～380GPa，抗压强度：2.1GPa，表面粗糙度：Rz0.05，抗腐蚀性：常温下不受酸碱腐蚀，在300℃下能被HF侵蚀。
17、大尺寸光学级蓝宝石晶体
性能要求：0.38～0.79μm平均透过率≥80%，1.064μm透过率≥85%，3～5μm平均透过率≥85%；光学均匀性△n≤4×10-5；弯曲强度≥600MPa；努氏硬度≥17Gpa；直径＞300mm。
18、连续碳化硅纤维
性能要求：
（1）掺杂型二代连续碳化硅纤维：单纤维直径8～10μm，密度2.4～2.6g/cm3，单丝拉伸强度≥2.8GPa，束丝拉伸强度≥2.5GPa，拉伸弹性模量≥200GPa，断裂伸长率≥1%，氧化量≤10%，掺金属元素含量≤1%，单丝拉伸强度≥2.5GPa（1250℃氩气1h），单丝拉伸强度≥2.3GPa（1000℃空气1h）；
（2）掺杂型三代连续碳化硅纤维：单纤维直径为8±1.0μm，密度为3.10±0.15g/cm3，单丝拉伸强度≥2.8GPa，束丝拉伸强度≥2.6GPa，拉伸弹性模量≥360GPa，断裂伸长率≥0.8%，SiC晶粒尺寸≥30nm，碳硅原子比为1.05～1.2，氧含量≤0.8%，掺杂元素≤3wt.%，耐温性能（1500℃氩气1h，强度保留率≥80%），抗氧化性能（1250℃空气1h，强度保留率≥80%）；
（3）吸波型连续碳化硅纤维：拉伸强度≥2.3GPa，杨氏模量≥200GPa，电阻率105～10-2Ω·cm可调。
19、连续氮化硅纤维
性能要求：束丝上浆率：4101：1.5～3.5%，4103：0.9～2.9%；单丝直径：（13.0±1.0）μm；离散系数小于20%；线密度：（155±8）Tex；密度：（2.25±0.10）g/cm3；单丝拉伸强度≥1.60GPa；束丝拉伸强度≥1.60GPa，离散系数小于15%；拉伸弹性模量≥140GPa，离散系数小于10%；断裂伸长率≥0.80%，离散系数小于10%；氧含量≤3.0%，碳含量≤0.9%，氮含量：（37.0±3.0）%；高温强度保留率：1250℃氩气，1h：＞1.30GPa，1200℃空气，1h：＞1.20GPa。
20、高性能氧化铝纤维
性能要求：氧化铝连续纤维：Al2O3含量≥72%，纤维强度≥1.8Gpa，平均直径≤12μm。
21、高性能碳纤维增强陶瓷基摩擦材料
性能要求：密度≤2.2g/cm3；使用温度-50～1650℃；抗压强度≥160MP；抗弯强度≥120MP；摩擦系数0.25～0.45；摩擦力矩峰值比≤2；摩擦系数热衰退≤15%；摩擦力矩湿态衰退≤5%。
22、EBPVD热障涂层用YSZ陶瓷靶材
性能要求：Al、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、V、Si、Ti、Cl杂质总量≤0.05wt%，Y2O3含量7～9wt%，HfO2含量≤2wt%，密度3.7～4.8g/cm3，物相为四方相和单斜相，闭合气孔率≤5%。
23、陶瓷纤维滤管
性能要求：适用温度：180～420℃；除尘效率≥99.9%，或排放参数≤5mg/Nm3；脱硝效率≥90%，或排放参数≤30mg/Nm3；抗折强度≥2MPa；抗压强度≥3MPa；气孔率≥70%。
24、汽车尾气催化剂相关材料
性能要求：
（1）稀土储氧材料：经1100℃高温老化10小时后，比表面积不低于28m2/g，静态储氧量≥300μmolO2/g。（3）DOC催化剂：新鲜状态，400℃以下NO最大转化效率≥50%；650℃，100小时水热老化后，400℃以下NO最大转化效率≥45%；
（2）堇青石蜂窝载体：TWC载体壁厚2.5～4.0mil，热膨胀系数≤0.5×10-6/℃；DOC、SCR载体壁厚3.0～5.5mil，热膨胀系数≤0.5×10-6/℃；DPF、GPF壁厚7～12mil，孔隙率45～65%，热膨胀系数≤0.8×10-6/℃；（3）CDPF催化剂：涂覆背压偏差：±10%；预处理后PN≤6×1011/kWh。（4）ASC催化剂：650℃，100小时水热老化后，NH3氧化起燃温度T50≤225℃；300℃以上的N2选择性≥75%；
（5）非道路T4催化剂：涂覆偏差≤±5%，性能指标达到非道路T4标准；
（6）碳化硅蜂窝载体：DPF：300cpsi，壁厚10～12mil，孔隙率35～45%，中值孔径8～14μm，抗热冲击温度＞1500℃。
25、半导体装备用精密陶瓷部件
性能要求：
（1）刻蚀装备用碳化硅电极：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa，电阻率0.005～80Ω·cm；
（2）刻蚀装备用碳化硅环：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa；
（3）刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm3；热导率（RT）≥27W/(m·K)；热膨胀≤3.5×10-6/K；抗弯强度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韦伯模量≥9；关键尺寸精度±0.02mm；表面0.3～5μm，尺寸颗粒≤5000count/cm2，表面有机物≤0.1μg/cm2;
（4）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟：密度≥3.1g/cm3，导热系数≥160W/(m·K)，纯度≥99.9%，抗弯强度≥370MPa;
（5）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅舟：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa;
（6）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管：纯度≥99.96%，密度≥2.9g/cm3，抗压强度≥350MPa；热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1;
（7）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅炉管：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10-6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa。
26、高容及小尺寸MLCC用镍内电极浆料
性能要求：镍粉0.15～0.20μm，最大粒往径≤0.5μm，固含量55±3%，粘度10rpm19±2Pa·s，干膜密度＞5g/cm3，热膨胀系数15±3%（1000～1200℃），能在厚度3μm以下的介质上通过丝印工艺形成精确的外观图形。
27、第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板
性能要求：空洞率（C-SAM，分辨率50μm）≤0.3%；剥离强度（N/mm）＞10；冷热冲击寿命（cycle）＞5000；可焊性＞95%；打线性能：剪切力≥1000gf。
28、切削刀具用超硬材料制品
（1）聚晶金刚石复合片 PCD：硬度≥HV4000，拱形度≤0.1mm，厚度公差≤±0.1mm；
（2）聚晶 PCBN 刀片：硬度≥3200HV，抗冲击韧性≥25J，抗弯强度≥500MPa。
来源：工信部原材料工业司
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