www.188betkr.com 讯功率器件是电力电子技术的核心，在电力电子技术朝着高频、高功率密度发展的方向上扮演着至关重要的角色。
目前，国内外大多数电力电子功率器件都采用硅基半导体材料。经过几十年的不断改良和优化，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关注的问题。以碳化硅为代表的第三代半导体材料功率器件在各项性能指标上较现有硅基功率器件有飞跃性的提升，正在引领电力电子领域的一次技术革命。
近年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率。因此碳化硅功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的提升，凭借其卓越性能而被不断应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域。。
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（www.188betkr.com 编辑整理/长安）
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