科友半导体:实现8英寸SiC量产关键技术突破!


来源:www.188betkr.com 空青

[导读]科友半导体宣布,他们突破了8英寸SiC量产关键技术。

www.188betkr.com 讯成本高,一直是碳化硅器件被吐槽的诟病。因为碳化硅在生产环节中存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题,碳化硅衬底生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行,对温场稳定性要求高,并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此,碳化硅衬底生产工艺难度大,良率不高。


这直接导致了碳化硅衬底存在价格高、产能低的问题。


目前,主流碳化硅衬底尺寸为6英寸,8英寸衬底正在成为行业重要的技术演化方向。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的预测,预计2020-2025年国内4英寸SiC晶圆市场逐步从10万片减少至5万片,6英寸晶圆将从8万片增长至20万片;2025-2030年,4英寸晶圆将逐步退出市场,6英寸增加至40万片。


从技术进展来看,国产碳化硅厂商基本以6英寸碳化硅晶圆为主,而Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST等国际碳化硅大厂已经纷纷迈入8英寸,并将量产节点提前到今年。可以看出,目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导,国内企业市场份额较小。虽国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹,但近年来发展提速明显。


2023年4月,科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通,并进入中试线生产。


近日(6月22日),科友半导体宣布,他们突破了8英寸SiC量产关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。



8英寸产品展示


尺寸和厚度方面,科友半导体在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上,8英寸晶体直径超过210mm,厚度目前稳定在15mm以上。


缺陷控制方面,科友半导体8英寸晶体微管密度<0.1个cm-2,位错缺陷密度<5000个cm-2,晶体质量处于行业领先水平。


生长速度方面,科友半导体基于高热场稳定性、高工艺稳定性、和高装备稳定性,突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺技术,长晶速率已达到170μm/h以上,长晶周期约为4-5天,单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。


产品良率方面,科友半导体以6英寸晶体为基础,开发出适合于8英寸SiC稳定生长的工艺技术,大幅提升了长晶的稳定性、重现性。


目前,科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术,8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%,晶体厚度15mm以上,有望打破国际封锁,成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。


来源:科友半导体、虎嗅网


(www.188betkr.com 编辑整理/空青)

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