【原创】SiC上车加速,AMB陶瓷基板成主流趋势


来源:www.188betkr.com 空青

[导读]碳化硅车型渗透率在2023年开始提升,AMB陶瓷衬板需求将迎来大幅增长。

www.188betkr.com 讯近日,博敏电子在接受调研时表示,当前AMB增量来源最多的是车规级产品。按未来新能源汽车市场的生产产能测算,2023年特斯拉、理想、小鹏、华为、比亚迪等高端车型将使用AMB陶瓷衬板,公司预计Q2-Q3是放量增速的开端。中信证券分析,碳化硅车型渗透率在2023年开始提升,AMB陶瓷衬板需求将迎来大幅增长。

博敏电子:新能源汽车板

自2021年特斯拉宣布旗舰车型Model3搭载碳化硅功率器件后,碳化硅便开启了急速上车之路。国内,比亚迪已在碳化硅方面取得重大技术突破,比亚迪汉、唐四驱等旗舰车型上已大批使用碳化硅模块,蔚来旗下ET7、ES7、ES8、EC7等车型也已经用上碳化硅电驱系统,小鹏旗下G9亦采用了碳化硅器件。


来源:Wolfspeed,民生证券研究院

根据Wolfspeed的预测,2026年碳化硅器件市场规模有望达到89亿美元,碳化硅有望在新能源汽车、工业和能源、射频市场逐步完成对硅基器件的替代。

在新能源汽车领域,碳化硅器件目前主要应用于逆变器中,逆变器是一种将直流信号转化为高压交流电的装置,在传统硅基IGBT逆变器中,其基本原理为利用方波电源控制IGBT的开关,使得原来的直流电路输出方波高电压,经过整形模块的整形后形成正弦电压,即交流电。

目前来看,碳化硅MOSFET在电动汽车主驱逆变器中相比Si-IGBT优势明显,虽然当前SiC器件单车价格高于Si-IGBT,但SiC器件的优势可降低整车系统成本。



SiC在新能源汽车上的应用优势

1、速度提升

碳化硅器件的使用能让驱动电机在低转速时承受更大输入功率,且因其高热性能,不怕电流过大导致的热效应和功率损耗。在车辆起步时,驱动电机能够输出更大扭矩,获得更强的加速能力。

2、续航增加

SiC器件可以通过导通/开关两个维度降低损耗,从而实现增加电动车续航里程的目的。结合英飞凌的研究数据,在25°C结温下,SiC-MOS关断损耗大约是Si-IGBT的20%;在175°C的结温下,SiC-MOS关断损耗仅为Si-IGBT的10%。综合来说,新能源车使用SiC器件能够增加5-10%续航里程。

3、实现轻量化

得益于SiC的优越性能:1)相同功率等级下封装尺寸更小;2)减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用,从而减少系统体系和重量;3)减少散热器体积;4)同样续航范围内,可以减少电池容量。

4、降低成本

目前SiC器件的价格是硅基器件的4-6倍,但采用SiC器件实现了电池成本的大幅下降和续航里程的提升,综合降低了整车成本。


800V高压平台催生碳化硅需求扩大

新能源汽车自面世以来,续航问题一直是痛点,各大厂纷纷研发更长续航里程的车型,续航问题缓解后,充电焦虑仍未解决。这时候超级快充出现了,为进一步提高充电功率、缩短充电时间,绝大多数的主流车企选择高压快充方案,将电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平,特别是800V高压快充,已经被很多整车厂提上日程。

电压的提升,意味着电动汽车所有的高压元器件及管理系统都要提高标准,首当其冲的就是主驱逆变器。如今,新能源汽车普遍使用400V电压平台下,采用SiC可以提高大概3%-5%的效率。但在800V平台下,SiC的优势就能发挥得更好,总体效率提高6%-8%。碳化硅替代硅更加适宜,800V+SiC这套“组合拳”更有利于在碳化硅上车竞争中抢占市场。

2021-2022年,现代IONIQ5、奥迪e-tronGT、保时捷Taycan等国外车型,以及长城沙龙机甲龙、北汽极狐阿尔法S华为HI版、极氪001等国内车型已率先应用800V高压平台+SiC功率模块。2023年以后,更多基于800V架构的新能源汽车将进入量产阶段。根据英飞凌预计,到2025年汽车电子功率器件领域采用SiC技术的占比将会超过20%。


SiC功率模块增长,AMB陶瓷基板受益

800V高压平台成为解决快充痛点的主流方案,碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期,AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。

陶瓷基板按照工艺可分为DBC、AMB、DPC、HTCC、LTCC等基板,按照基板材料划分主要为氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)和氮化硅(Si3N4)。

目前IGBT封装主要采用DBC陶瓷基板,原因在于DBC具有金属层厚度大(一般为100~600um),具有载流大、耐高温性能好及可靠性高的特点,结合强度高(热冲击性好)等特点。

SiC MOSFET封装模块剖面图(来源:低温烧结银、中信建投)

但是,DBC陶瓷基板在高温服役过程中,往往会因为铜和陶瓷之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力,从而导致铜层从陶瓷表面剥离,因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求。

相比之下,AMB技术实现了氮化铝和氮化硅陶瓷与铜片的覆接,可大幅提高陶瓷基板可靠性,逐步成为中高端IGBT模块散热电路板主要应用类型。据资料显示,意法半导体,比亚迪半导以及时代电气都确定了AMB氮化硅基板上车的技术路线。

选用AMB-SiN陶瓷基板的优势在于:高热导率、高载流能力以及低热膨胀系数,其性能优越有望成为IGBT和SiC功率器件基板应用新趋势。

AMB基板在功率模块成本占比接近10%。因此,根据Yole,2021-2027年,全球SiC功率器件市场规模将由10.9亿美元增长到62.97亿美元,预计2021-2027年全球SiC功率器件带动的AMB基板市场规模将由1.09亿美元增长到6.30亿美元。


AMB陶瓷基板需求增长,国内供应商稀缺

目前以Si基为主的IGBT模块在具有高导热性、高可靠性、高功率等要求、对成本不敏感的轨道交通、工业级、车规级领域正逐渐采用AMB陶瓷衬板替代原有的DBC陶瓷衬板。

随着SiC MOS开始供应主驱逆变器,由于逆变器所需SiC MOS面积变大,对于陶瓷衬板的产能消耗量快速增长。就拿全球碳化硅模块用量最多的是特斯拉来讲,Model3开始全系标配碳化硅MOSFET模块替代IGBT作为逆变器功率器件,碳化硅模块都必须采用 AMB-氮化硅的陶瓷封装材料。未来,新能源汽车领域成为AMB陶瓷基板最大需求领域。

据估计,一块标准衬板单价为400元左右,预计2027年预计全球采用SiC车型将达到1032万辆,考虑到未来降价至300元左右,预计2027年SiC车规市场规模将达到34.3亿元。

目前,AMB基板供应商目前仍旧主要为欧美日韩企业,如罗杰斯、KCC、贺利氏、同和等主导。这些企业拥有领先的生产技术,占据主要市场份额。国内AMB 陶瓷衬板目前主要依赖进口,国内产能相对较小。

博敏电子属于国内极少的AMB陶瓷衬板供应商,随着SiC上车的产业趋势,其推出AMB陶瓷基板聚焦碳化硅芯片封装领域,尤其是车规领域AMB替换DBC陶瓷衬板成为主流趋势。


参考来源:

PCBworld:受益于汽车“新三化”,这种PCB要火?

爱集微:800V高压平台+SiC将成主流方向?芯聚能2022年量产SiC模块加快产业化进程

科技中观视角:AMB基板:大功率IGBT和第三代半导体模块封装新趋势

赵东亮:功率模块用陶瓷覆铜基板研究进展

中信建投、未来智库、www.188betkr.com 、盖世汽车

活性钎焊:氮化硅AMB基板成为新能源汽车SiC功率模块的首选工艺


(www.188betkr.com 编辑整理/空青)

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作者:空青

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