www.188betkr.com 讯碳化硅是典型的第三代半导体材料，应用广泛，近年来发展迅速。中国电科产业基础研究院（13所）自2004年开始对碳化硅材料、器件进行工艺研究，与国际先进水平同步。经过多年的建设和发展，2017年，4英寸碳化硅电力电子工艺线正式实现批产供货；为进一步扩充产能、对标国际先进，2019年，产业基础研究院（13所）采用改扩建方式完成了碳化硅电力电子6英寸工艺线。
截至目前，6英寸碳化硅电力电子工艺线已稳定生产供货。期间通过不断优化产品性能指标，产业基础研究院（13所）技术团队又基于6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET产品开发，产品指标均可对标国际一线品牌。
近年来，电动汽车市场快速增长，其中高压碳化MOSFET作为电动汽车主逆变器和车载充电器的核心元器件，市场需求量巨大。尤其是用于主逆变器的1200V/100A高压、大电流碳化硅MOSFET芯片，代表了当前碳化硅电力电子芯片技术的最高水平，全球范围内具备批量供货能力的厂家屈指可数。
产业基础研究院（13所）经过多年的技术积累和艰苦攻关，突破多项关键技术，完成了车规级1200V/100A碳化硅MOSFET芯片产品批量生产，实现了多款产品的系列化，产品品质得到了国内多家车企的认可。
2022年，产业基础研究院（13所）大力推进碳化硅在电力电子领域运用发展，全面开启“碳化硅年”，并深入布局，围绕“技术突破”和“市场拓展”两个重点，以现有的6英寸碳化硅工艺线为硬件基础，同时布局产业化公司发展。上半年，产业基础研究院（13所）当选河北省半导体产业联盟理事长单位、河北省第三代半导体产业创新联合体理事长单位，将牵头打造河北省SiC产业链。
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