www.188betkr.com 讯近日，由中国工程院、国家制造强国建设战略咨询委员会指导，国家产业基础专家委员会编制的《产业基础创新发展目录（2021年版）》（以下简称《目录》）发布。《目录》针对国民经济建设、国防安全和人民幸福影响大的发展需求，确定了纺织、新材料、信息通信设备、基础软件及工业软件、机床与基础制造装备及机器人、环保低碳及资源综合利用装备等21个重点领域。其中，多项陶瓷材料及相关设备入选。
陶瓷材料方面
在材料方面，碳化硅、氮化镓等第三代半导体衬底、外延等产品技术入选。而较少提及的氮化铝单晶衬底材料也位列其中，据了解，氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料，也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。我国对AlN晶体生长技术的研究起步较晚，在此之前，美国在全球AlN单晶及晶圆制造方面，可达的最大直径为2英寸（50.8mm），长期处于技术垄断地位。
陶瓷电容器作为细分条目被两次提及，分别是“小型化高电容MLCC”和“高容量片式陶瓷电容器”。片式陶瓷电容器，即MLCC，是一种新型、微型化、片式化的高精度电容器，是片式阻容感元件中用量最大、发展最快的核心元件，约占整个电容器市场份额的一半，是构建新一代信息、通信、电子、终端产品的基础材料。随着5G手机渗透、电动车放量、5G基站建设的推进，MLCC需求极速增长。目前我国大陆厂商处在行业竞争第三梯队的位置，尤其是在高阶MLCC 方面，因为技术要求更高，目前技术、产能主要集中在日厂手中。
此外，近年来研究及应用热度较高的陶瓷涂层、压电陶瓷、蜂窝陶瓷、微波介质陶瓷、高导热陶瓷基板等均有相关材料入选其中。
工艺与设备方面
在制造工艺与设备方面，一批入选装备需要配备大量先进陶瓷材料。例如，在光刻机中，碳化硅陶瓷已被用于工件台、导轨、反射镜、吸盘、手臂等；在刻蚀装备中，碳化硅、氮化铝、氧化铝、氮化硅、氧化钇等陶瓷材料已被重点用于窗视镜，气体分散盘，喷嘴，绝缘环，盖板，聚焦环和静电吸盘等。
参考来源：《产业基础创新发展目录（2021年版）》、www.188betkr.com
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