www.188betkr.com 讯江苏省光电信息功能材料重点实验室于2003年8月份建立试运行，以南京大学微电子学与固体电子学国家重点学科为主干学科，部分覆盖理论物理国家重点学科、光学与光电子学和有机化学两个博士学科点。部分覆盖的研究机构有南京大学金属有机化合物（MO）源工程研究开发中心，南京大学光通信系统与网络工程研究中心。交叉与支撑研究机构有南京大学固体微结构国家重点实验室，现代分析中心，固体物理研究所，应用物理研究所，光通信工程研究中心，微电子学研究所。
本实验室拥有光电信息材料制备(包括GaN-MOCVD、GaN-HVPE、ZnO、SiC、纳米Si)和材料物性表征(包括Hall测量、光学测量、X射线衍射、阴极荧光联合分析系统)共9个专门实验室，并有用于器件制备的南京大学微加工中心。这些实验室拥有较完善的系列大型实验设备，具备从材料的制备到材料物性表征的硬件软件条件，已成为国内外相关研究领域中研究条件先进的实验室之一。
实验室固定在编人员41人。33名主要研究人员分别具有半导体、材料、物理和化学等不同背景，其中中科院院士1名，博士生导师21名，硕士生导师6名,教授19名（其中教育部“长江学者奖励计划”特聘教授2名，国家杰出青年基金获得者4名，教育部跨世纪人才5名），副教授9名。45岁以下的青年研究人员占总数的64%，24位研究人员拥有博士学位（占总数的70%），14位研究人员拥有海外博士后经历，另有青年辅助研究人员和实验技术人员13名，博士后3名，2006年从海外引进优秀人才2名。形成了知识层次和年龄结构合理，富有研究经验和创新活力的研究队伍。
本实验室在同一研究领域中保有国际高水平的研究成果。2004-2007近三年来获得国家自然科学奖二等奖1项，获得授权的国家发明专利16项，获得受理的国家发明专利26项，发表学术论文300多篇，承担国家“863”、“973”、自然科学基金等省级以上科研项目40余项。2004年被国家自然科学基金委评为“优秀创新群体”。
建设目标
江苏省光电信息功能材料重点实验室的建设目标是建设一个开放的、高水平的新型光电信息功能材料研究和开发中心，一个材料、电子、物理和化学学科交叉的高素质信息功能材料人才培养基地；开发对江苏省科技进步和经济发展有重大意义的信息功能材料和器件的关键技术。建设内容包括新型光电信息功能材料制备、材料与器件光电性质表征和新型光电器件与系统研制的三个公共服务平台和六个研究平台。
重点开展六个方向的研发工作:
半导体异质结构材料与器件
半导体低维结构材料与纳电子器件
光电子材料与器件
固体电子材料与应用技术
光电功能材料与器件设计
集成电路设计
机构设置
本实验室设32个固定研究人员岗位和若干实验技术人员岗位，并设立10个流动研究人员岗位。组织管理由学术委员会、实验室领导小组和所属三个中心（平台）、五个研究室组成。
三个中心（平台）分别是:
光电信息功能材料研发中心，
光电信息功能器件研发中心，
光电信息功能材料与器件表征平台。
五个研究室分别对应于实验室的五个主要研发方向，它们为：
半导体异质结构材料与器件研究室，
半导体低维结构材料与纳电子器件研究室，
光电子材料与器件研究室，
固体电子材料与应用技术研究室，
光电功能材料与器件设计研究室。
实验室学术委员会由国内著名高校、研究所和高新技术企业的知名专家9-15人组成，设主任1人，副主任2人。第1届学术委员会由15人组成，以便对实验室的建设计划进行更充分的审议。学术委员会的功能为：审议批准实验室的发展计划，对研究方向提出指导性意见，从不同角度对实验室正副主任和相关研究室主任的工作和研究室的研究成果给予客观评估，促进实验室研究水平更上新台阶；引进新的学术思想，促进前沿学科交叉；发现研究工作中的薄弱环节，及时提出改进措施；适时地修改开放课题指南，审批开放课题。
实验室设主任1人，副主任2人。实验室的领导小组由实验室正、副主任和各研究室主任组成。实验室实行主任负责制。实验室主任根据学术委员会的评估意见和有关研究方向的指导性意见，负责实验室研究工作的日常管理，任免、调整研究室的负责人和研究人员，制定实验室建设计划、年度工作计划和工作报告。实验室可通过特聘教授的聘任从国内外引进项目急需人才。特聘教授可以是专职（全时）也可以是兼职（每年来工作一定时间）；另一方面，采取有力措施强化现有青年科技人员的培养提高，工作上委以重任，为他们承担各类研究项目（特别是省和国家的重大项目）创造条件。通过评估获得先进仪器设备和经费支持，对长期成绩平平、不适合在实验室工作的人员予以调离，对工作中作出重要贡献者给予奖励。
实验室设立开放课题基金，支持优秀的开放课题。优先支持创新性高和交叉性强，由不同学科背景的省内学者联合申请的项目。鼓励与国内外知名同行的交流合作，及时邀请国内外本行业著名学者来我室作短期(1-3个月)合作研究和讲学并为之提供必要的津贴。本实验室的主干学科是南京大学物理系“微电子学与固体电子学”国家重点学科，同时有南大物理系、化学化工学院相关学科的研究和技术人员参加。因此，本实验室将协调好与南大物理系、化学化工学院相关学科的关系。实验室的有关人事、组织、人员的思想政治工作、图书资料、生活后勤等工作依托南大物理系、化学化工学院进行。同时，本实验室将协调好与南大固体微结构国家重点实验室和纳米技术江苏省重点实验室的关系，相互学习，资源共享，共同提高。
仪器设备
☆金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统
☆MOCVD-NJU-SO1型半导体材料制备系统
☆VLP- CVD系统
☆新型HV-MOCVD系统
☆CCS-MOCVD材料生长系统
☆GaN氢化物气相外延系统
☆材料物性表征分析仪器设备
☆微区扫描激光拉曼谱仪
☆阴极荧光联合分析系统
☆扫描探针显微镜（SPM）
☆荧光光谱仪(美国EG&G公司)
☆半导体器件平面工艺流水线
☆半导体参数综合测试系统
☆反应离子刻蚀机
☆电子束暴光系统，介质膜淀积系统
☆新型光电功能材料和器件设计设备
☆计算机信息图象处理系统
☆微电子器件CAD系统
☆中型计算机系统
☆紫外－可见－近红外光度计
☆锁相放大器
☆磁电阻测量系统
☆多功能光学测试系统
☆其他表征仪器
院士介绍
郑有炓 1935 年 10 月生，教授、博士生导师、中科院院士。
1984-1986 年参加中美凝聚态物理合作研究计划在美国纽约州立大学开展合作研究。 1992-1996 任国家“ 863 计划”光电子主题专家组成员， 1988-1993 任国家自然科学基金半导体学科专家评审组成员， 1991-2001 任国家“攀登计划”项目专家委员会委员。现任国家重点基础研究发展计划信息领域专家咨询组成员，国家自然科学基金委信息学部专家咨询委员会委员，中国物理学会半导体物理专业委员会、表面与界面物理专业委员会和中国电子学会半导体与集成技术专业委员会委员，中国科学院半导体材料科学开放实验室、复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室、电子 55 所国防重点实验室学术委员会委员，《半导体学报》、《固体电子学研究与进展》、《红外与毫米波学报》编委。
教授介绍
学术论文
1998 -2003年以来，共计发表各类学术论文800 多篇，其中 SCI 收录论文300 多篇， EI 收录论文200多篇。发表在国际知名SCI学术刊物上的论文203篇，其中包括Angew. Chem.(影响因子 8.547)论文1篇， PRL( 影响因子6.462) 论文4篇， APL( 影响因子 3.906) 论文43 篇， J. Organomet. Chem. ( 影响因子 3.689) 论文3 篇， Organometallics ( 影响因子3.169) 论文 1 篇， PRB( 影响因子3.065) 论文30 篇， Langmuir (影响因子3.045) 论文1 篇， IEEE Electronic Devices Lett. ( 影响因子2.619) 论文 1 篇， Tetrahedron Letters ( 影响因子 2.558) 论文1 篇， JAP ( 影响因子 2.128) 论文13篇。影响因子大于 3.0 的学术论文共 83 篇。
科研领域
(1)对宽禁带半导体材料与器件的研究
主要对Ⅲ族氮化物金属有机化学气相淀积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）材料生长和器件制备的科学与技术的研究，包括制备用于短波长半导体发光器件和高功率微波电子器件的异质结构，量子阱材料及大面积、自支撑、低位错密度GaN衬底材料，设计、研制Ⅲ族氮化物高温、高功率微波器件，紫外光电探测器等微电子和光电子器件。
(2)对高居里温度自旋半导体材料和自旋极化半导体器件的研究
主要对稀磁半导体材料的制备技术，特别是以GaN和ZnO等宽禁带半导体为母体的高居里温度自旋半导体材料的制备技术研究，系统研究稀磁半导体材料的物理性质，揭示稀磁半导体材料中磁性形成和调控规律，研究发展新的磁性半导体低维量子结构的表征方法和技术。研究稀磁半导体材料中双交换作用的物理规律，自旋的交换、关联和极化及其与物理环境的关系，探索发展自旋极化半导体器件。
(3)对硅基异质结构材料与器件的研究
主要对新型硅基异质结构材料的超低压化学气相淀积（VLP-CVD）制备科学与技术的研究，设计、研制新型硅锗碳异质结构器件，包括硅基异质结双极型晶体管，红外探测器和量子结构发光器件。
(4)对半导体纳米量子结构材料与物性的研究
研究纳米晶粒的界面态性质，探索以钝化界面缺陷态为目标的低温超薄氧化技术；由化学合成法制备理想的半导体胶体量子点及异质量子阱量子点结构，实验研究新型低维结构中的电子行态，及纳米开关效应及电子、光子调制效应。
(5)对纳米电子器件及纳米信息技术的研究
结合微电子工艺及纳米加工技术，制作与发展适用于未来信息处理技术的极低功耗、超高密度、超高频率的纳米器件，包括单电子荷电态逻辑和存储结构及隧道共振晶体管，研究可集成的器件结构和工作模式；研究MOSFET器件在缩小尺寸的物理和技术问题，包括可靠性和电介质材料研究；研究半导体纳米结构中的量子电子和经典电子行态，及在新型器件中的应用。
(6)对纳米电子学信息处理的研究研究
纳米尺度下电子器件的工作原理及相应的模型、模拟和分析检测方法。基于纳米电子系统的电子输运理论，研究超高密度集成的纳米器件间互连和信号传输的模型和模拟方法；基于神经网络计算和量子计算方法，研究超高密度集成的单电子器件的信号加工方法。
(7)对硅基光电子集成技术的研究
以发展硅基光电子集成技术为目标，系统开展其关键材料(硅基发光材料)、关键器件结构单元(硅基纳米结构)和关键工艺技术(特别是自组装技术)等研究，提出功能集成新概念、新原理和新技术；设计具有量子尺寸效应的的纳米功能材料结构单元，利用这种效应实现信息处理功能，研制器件原型；在此基础上，利用多种信息载体、复杂材料结构和高度精密集成工艺，将材料的基本物理性质和器件的基本功能要求结合起来，直接进行功能设计，实现硅基纳米光电子功能集成。
(8)对可重构SoC设计方法、验证方法学、IP设计方法学的研究
该方向包括可重构SoC体系结构，基于可重构的计算，可重构颗粒度和基于可重构SoC中的数据安全和地址分配；可重用验证方法，形式化验证方法和基于平台的验证方法；IP重用设计技术、IP评测技术和IP核接口标准化，以及IP国家标准的制定方案等内容。
资料来源：
?江苏省光电信息功能材料重点实验室
